N - Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de la Manche P0903BDL

Numéro de type:P0903BDL
Point d'origine:Originale
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:290pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES de DIODE de SOURCE-DRAIN (comité technique = °C) 25

Courant continu  IS   50     A
Courant pulsé3  ISM   150
Tension en avant1VÉCART-TYPEIS = 25A, VGS = 0V 0,91,3     V
Temps de rétablissement inversetrrIF = IS, dlF/dt = 100A/µS 70      NS
Courant de récupération d'inversion maximalIRM (REC) 200        A 
Charge inverse de récupération  0,043      µC

 

 

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES

China N - Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de la Manche P0903BDL supplier

N - Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de la Manche P0903BDL

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