8 un transistor mou ultra-rapide HFA08TB60 de transistor MOSFET de puissance de diode de récupération de HEXFRED

CARACTÉRISTIQUES

• Récupération ultra-rapide

• Récupération Ultrasoft

• IRRM très bas

• Qrr très bas

• Spécifique aux conditions de fonctionnement

• Conçu et qualifié pour le niveau industriel

AVANTAGES

• IFR et IEM réduits

• Perte de puissance réduite dans la diode et le transistor de commutation

• Une opération plus élevée de fréquence

• Rebrouer réduit

• Compte réduit de pièces

DESCRIPTION

HFA08TB60 est une diode ultra-rapide de pointe de récupération. Utilisant le plus en retard dans la construction épitaxiale et les techniques de traitement avancées il comporte une combinaison superbe des caractéristiques qui ont comme conséquence la représentation qui est non surpassée par n'importe quel redresseur précédemment disponible. Avec des estimations de base de 600 V et de courant continu de 8 A, le HFA08TB60 est particulièrement bien adapté pour l'usage comme diode de compagnon pour IGBTs et transistors MOSFET. En plus du temps de rétablissement ultra-rapide, le produit de HEXFRED® comporte extrêmement - des valeurs basses de récupération maximale actuelles (IRRM) et ne montre pas n'importe quelle tendance « rupture- » pendant la partie de TB de la récupération. Les caractéristiques de HEXFRED combinent pour offrir des concepteurs un redresseur avec des pertes plus faible bruit et sensiblement inférieures de commutation dans la diode et le transistor de commutation. Ces avantages de HEXFRED peuvent aider réduire de manière significative rebrouer, nombre de composants et tailles de radiateur. Le HEXFRED HFA08TB60 approprié idéalement aux applications dans des systèmes d'alimentations d'énergie et de conversion de puissance (tels que des inverseurs), des commandes de moteur, et beaucoup d'autres applications semblables où grande vitesse, rendement élevé est nécessaire.

Diode molle ultra-rapide de récupération, 8 A

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