Transistor de puissance épitaxial du silicium NPN d'ISC d'APPLICATIONS d'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE de transistor de silicium de NPN 2SC5200

Numéro de type:2SC5200
Point d'origine:Originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Détails du produit

2SC5200/FJL4315

Transistor épitaxial de silicium de NPN

Applications

• Amplificateur haute-fidélité de sortie audio

• Amplificateur de puissance d'usage universel

 

Caractéristiques

• Capacité forte intensité : IC = 15A.

• Dissipation de puissance élevée : 150watts.

• Haute fréquence : 30MHz.

• Haute tension : VCEO=230V

• S.O.A large pour l'opération fiable.

• Excellentes linéarités de gain pour bas THD.

• Complément 2SA1943/FJL4215.

• Les modèles thermiques et électriques d'épice sont disponibles.

• Le même transistor est également disponible dans :

-- Paquet de TO3P, 2SC5242/FJA4313 : 130 watts

-- TO220 paquet, FJP5200 : 80 watts

-- Paquet de TO220F, FJPF5200 : 50 watts

 

Ratings* maximum absolu merci = 25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre EstimationsUnités
LA BVCBO 230 VTension de collecteur-base de BVCBO 230 V
PRÉSIDENTDE LA BVTension de collecteur-émetteur 230 V
LA BVEBO  Tension 5 V d'Émetteur-base de BVEBOV
IC  Courant de collecteur (C.C)15A
IB Courant bas1,5 A
PD

Dissipation totale de dispositif (TC=25°C)

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

150

1,04

W

W/°C

TJ, TSTG Jonction et température de stockage- 50 | +150°C

 

Caractéristiques typiques

China Transistor de puissance épitaxial du silicium NPN d'ISC d'APPLICATIONS d'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE de transistor de silicium de NPN 2SC5200 supplier

Transistor de puissance épitaxial du silicium NPN d'ISC d'APPLICATIONS d'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE de transistor de silicium de NPN 2SC5200

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