Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943

Numéro de type:2SA1943
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10000PCS
Délai de livraison:jour 1
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Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Transistors de puissance du silicium PNP 2SA1943

 

DESCRIPTION

·Avec le paquet de TO-3PL

·Complément pour dactylographier 2SC5200

 

 

APPLICATIONS

·Applications d'amplificateur de puissance

·Recommandé pour 100W de haute fidélité

 étape de sortie d'amplificateur de fréquence sonore

 

 

GOUPILLER

    PIN   DESCRIPTION
     1  Émetteur
     2

  Collecteur ; relié

  base de support

     3  Base

 

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES Tj=25℃ sauf indication contraire

 SYMBOLE       PARAMÈTRE   CONDITIONS   MINUTE   TYPE.  Max  UNITÉ
 PRÉSIDENT V(DEBR) Tension claque de collecteur-émetteur IC=-50mA ; IB=0  -230     V
 VCEsat Tension de saturation de collecteur-émetteur IC=-8A IB=-0.8A    -3,0   V
 VSOYEZ Tension d'émetteur de base IC=-7A ; VCE=-5V    -1,5   V
 ICBO Courant de coupure de collecteur VCB=-230V ; C.--D. =0    -5  μA
 IEBO Courant de coupure d'émetteur VEB=-5V ; IC=0    -5  μA
 hFE-1 Gain actuel de C.C IC=-1A ; VCE=-5V   55   160 
 hFE-2 Gain actuel de C.C IC=-7A ; VCE=-5V   35   
 fT Fréquence de transition IC=-1A ; VCE=-5V    30   Mégahertz
 COB Capacité de sortie de collecteur f=1MHz ; VCB=-10V   360   PF

 

classifications du ‹ hFE-1

      R         O
   55-110      80-160

 

CONTOUR DE PAQUET

 

 

 

 

 

China Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943 supplier

Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943

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