Type de MOS de la Manche du silicium N applications 2SK2611 de convertisseur de DC−DC, d'entraînement de relais et d'entraînement de moteur

Transistor effet de champ de TOSHIBA

Type de MOS de la Manche du silicium N (π−MOSIII) 2SK2611

Applications de convertisseur de DC−DC, d'entraînement de relais et d'entraînement de moteur

* bas drain−source SUR la résistance : R_du Ω 1,1_deDS(DESSUS) = (type.)

* accès de transfert en avant élevé : |Y_fs| = 7,0 S (type.)

* bas courant de fuite : I_SAD = μA 100 (maximum) (V_DS = 720 V)

* Enhancement−mode : Vth = 2.0~4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1 mA)

Poids : 4,6 g (type.)

Capacités absolues (merci = 25°C)

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d' hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.--d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.--d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

Caractéristiques thermiques

Note 1 : Veuillez utiliser les dispositifs condition que la température de canal soit au-dessous de 150°C.

Note 2 : V_{densité double} = 90 V, T_ch = 25°C (initiale), L = 15 MH, RG = 25 Ω, I_l'AR = 9 A

Note 3 : Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température maximum de canal

Ce transistor est un dispositif sensible électrostatique.

Manipulez svp avec prudence.

Repérage

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