TOSHIBA a isolé la puissance élevée bipolaire de la Manche IGBT du silicium N de la Manche IGBT du silicium N de transistor de porte commutant 30J127

Numéro de type:30J127
Point d'origine:Originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
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TOSHIBA a isolé la Manche bipolaire IGBT du silicium N de transistor de porte

GT30J121

 

 

Applications de commutation de puissance élevée

Applications rapides de commutation

 

• La 4ème génération

• Amélioration-mode

• (FS) de changement rapide :

Fréquence d'opération jusqu' 50 kilohertz (référence)

Grande vitesse : tf = 0,05 µs (type.)

Basse perte de commutation : Éon = MJ 1,00 (type.)

: Eoff = 0,80 MJ (type.)

 

• Basse tension de saturation : VCE (reposé) = 2,0 V (type.)

 

 

 

Estimations maximum (merci = 25°C)

 CaractéristiquesSymbole  Évaluation Unité
Tension de collecteur-émetteur VCES 600V
tension de Porte-émetteurVGES±20V
Dissipation de puissance de collecteur (comité technique = 25°C)P170W
La température de jonction T150°C
Température ambiante de température de stockage Stgde T−55 150  °C

 

Formes d'onde de circuit et d'entrée-sortie de mesure de temps de commutation

China TOSHIBA a isolé la puissance élevée bipolaire de la Manche IGBT du silicium N de la Manche IGBT du silicium N de transistor de porte commutant 30J127 supplier

TOSHIBA a isolé la puissance élevée bipolaire de la Manche IGBT du silicium N de la Manche IGBT du silicium N de transistor de porte commutant 30J127

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