Nouveau et original coupleur optique industriellement compatible 4N35 d'IMMERSION de Pin du simple canal 6

Coupleur optique industriellement compatible d'IMMERSION de Pin du simple canal 6

TYPES DE DISPOSITIF

% de numéro de la pièce de CTR de numéro de la pièce de % minimaux de CTR mn.

4N25 20 MCT2 20

4N26 20 MCT2E 20

4N27 10 MCT270 50

4N28 10 MCT271 45-90

4N35 100 MCT272 75-150

4N36 100 MCT273 125-250

4N37 100 MCT274 225-400

4N38 10 MCT275 70-90

H11A1 50 MCT276 15-60

H11A2 20 MCT277 100

H11A3 20

H11A4 10

H11A5 30

CARACTÉRISTIQUES

• Interfaces avec les familles communes de logique

• Capacité d'accouplement d'entrée-sortie < 0="">

• Paquet double rangée de connexions industriellement compatible de 6 bornes

• Écurie d'effet de champ par TRIOS®

• Tension d'essai d'isolement de 5300 VRMS

• Dossier #E52744 de laboratoire de garants

• Approbation de VDE #0884 disponible avec l'option 1

APPLICATIONS

• Détection de canalisations C.A.

• Entraînement de relais de Reed

• Commutez le retour d'alimentation d'énergie de mode

• Téléphonez la détection d'anneau

• Isolement au sol de logique

• Accouplement de logique avec le rejet de bruit de haute fréquence

Notes : Concevoir avec la fiche technique est couvert dans la note d'application 45.

DESCRIPTION

Cette fiche technique présente cinq familles des coupleurs industriellement compatibles de phototransistor de simple canal de Vishay. Ces familles incluent les types 4N25/26/27/28, les coupleurs 4N35/36/37/38, le H11A1/A2/A3/A4/A5, les dispositifs de MCT2/2E, et de MCT270/271/272/273/274/275/276/277. Chaque coupleur optique se compose de l'arséniure de gallium LED infrarouge et d'un phototransistor du silicium NPN.

Ces coupleurs sont des laboratoires (UL) de garants énuméré pour se conformer une tension d'essai d'isolement de 5300 VRMS. Cette représentation d'isolement fait par le processus de fabrication d'isolement de bti de double de Vishay. La conformité selon des spécifications partielles d'isolement de décharge de VDE 0884 est disponible pour ces familles en commandant la stabilité de gain de phototransistor de l'option 1., en présence des tensions élevées d'isolement, est assurée en incorporant un ® transparent de bouclier de lOn (TRIOS) sur le substrat de phototransistor. Ces procédés d'isolement et les résultats de programme de qualité de Vishay IS09001 dans la représentation d'isolement la plus élevée disponible pour un coupleur optique en plastique commercial de phototransistor.

Les dispositifs sont disponibles dans la configuration formée par avance appropriée pour le support extérieur et sont disponibles sur bande et tournoient, ou dans des récipients d'expédition standard de tube.

Estimations maximum TA=25°C

Émetteur

Tension inverse .......................................................................................... 6,0 V

Courant en avant ........................................................................................ 60 mA

Courant de montée subite (µs t≤10) ............................................................................... 2,5 A

Dissipation de puissance ................................................................................... 100 mW

Détecteur

Tension claque de collecteur-émetteur ........................................................... 70 V

Tension claque d'Émetteur-base ................................................................ 7,0 V

Courant de collecteur ....................................................................................... 50 mA

Courant de collecteur (t <1>

Dissipation de puissance ................................................................................... 150 mW

Paquet

Tension d'essai d'isolement .......................................................................... 5300 V_RMS

Ascension .............................................................................................. ≥7.0 millimètre

Dégagement ............................................................................................. ≥7.0 millimètre

Épaisseur d'isolement entre l'émetteur et le détecteur ............................... ≥0.4 millimètre

Index de cheminement comparatif par CEI 112/VDE0303, partie .................. 175 DIN

Résistance d'isolement

    V_IO=500 V, T_A=25°C ............................................................................... Ω 10¹²

    V_IO=500 V, T_A=100°C ............................................................................ Ω 10¹¹

Température de stockage ................................................................ – 55°C +150°C

Température de fonctionnement ............................................................ – 55°C +100°C

La température de jonction ................................................................................ 100°C

La température de soudure (maximum 10 s, soudure d'immersion :

    distance l'avion de places assises ≥1.5 millimètre) ...................................................... 260°C

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