GaAs Ired et photo - transistor, contrôleur programmable TLP504A-2

Numéro de type:TLP504A-2
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:4800pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Photocoupleur GaAs Ired et Photo−Transistor de TOSHIBA

TLP504A, TLP504A−2

 

C.A. de contrôleurs programmables/relais semi-conducteur module de DC−Input

 

TOSHIBA TLP504A et TLP504A−2 se compose d'un photo−transistor optiquement couplé une diode émetteuse d'infrarouge d'arséniure de gallium.

Les offres deux de TLP504A ont isolé des canaux dans un paquet en plastique d'IMMERSION de huit avances, alors que le TLP504A−2 fournit quatre canaux d'isolement dans un paquet d'IMMERSION de seize plastiques.

 

• Tension de Collector−emitter : 55 V (minimaux)

• Rapport de transfert courant : grade gigaoctet de 50% (mn) : 100% (mn)

• Tension d'isolement : 2500 Vrms (minimal)

• UL identifiée : UL1577,

                           Dossier non E67349

 

 

Brochages (Vue supérieure)

 

Capacités absolues (merci = 25°C)

         Caractéristique  Symbole                       Évaluation  Unité
   TLP504A   TLP504A−2
 LED Courant en avant   IF      60       50  mA
 Courant en avant sous-sollicitant ΔIF/°C −0.7 (merci ≥ 39°C) −0.5 (merci ≥ 25°C) mA/°C
 L'impulsion expédient le courant  IPOINT DE GEL           1 (100μs impulsion, 100pps)  A
 Tension inverse  VR                            5  V
 La température de jonction  Tj                          125 °C
Détecteur Tension de Collector−emitter VPRÉSIDENT                           55  V
 Tension d'Emitter−collector VECO                            7  V
 Courant de collecteur   IC                           50 mA
 Dissipation de puissance de collecteur (1 circuit)  PC      150      100 mW

 Sous-sollicitation de dissipation de puissance de collecteur

 (1 de circuit ≥ merci 25°C)

 ΔPC/°C     -1,5      -1,0mW/°C
 La température de jonction  Tj                        125  °C
  Température ambiante de température de stockage  Stgde T                     −55~150  °C
  Gamme de température de fonctionnement  Oprde T                     −55~100  °C
  La température de soudure d'avance  Solénoïdede T                    260 (10 s)  °C
  Dissipation de puissance totale de paquet  RT      250       150  mW

  Sous-sollicitation totale de dissipation de puissance de paquet

  (Merci ≥ 25°C)

 ΔPT/°C     -2,5       -1,5mW/°C
  Tension d'isolement  LA BVS

 2500 (C.A., 1min., R.H.≤ 60%)

 (Note 1)

 Vrms

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d' hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.--d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues.

Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (« manipulant » de précautions/« sous-sollicitant le concept et les méthodes ") et les différentes données de fiabilité (c.--d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

 

Note 1 : Le dispositif a considéré des deux terminal : La LED dégrossissent des goupilles a court-circuité ensemble et les goupilles latérales de détecteur ont court-circuité ensemble.

 

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GaAs Ired et photo - transistor, contrôleur programmable TLP504A-2

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