Relais à semi-conducteur TLP523-4 de module de sortie de C.C du circuit intégré IC - circuitboardchips

Relais à semi-conducteur TLP523-4 de module de sortie de C.C du circuit intégré IC

Numéro de type:TLP523-4
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:4800pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Détails du produit

TOSHIBA Photocoupleur GaAs Ired & Photo-Transistor

TLP523, TLP523-2, TLP523-4


Automates programmables Module DC-Output Solid State Relay


Le TOSHIBA TLP523, -2 et -4 se compose d'un arséniure de gallium infrarouge diode couplé un silicium, DARLINGTON connecté émettant, phototransistor qui a une résistance base-émetteur intégré pour optimiser la vitesse de commutation et des caractéristiques de température élevées.

Le TLP523-2 offre deux canaux isolés dans un boîtier DIP huit plastique plomb, tandis que le TLP523-4 fournir quatre canaux isolés par paquet.


* Le ratio de transfert: 500% (min.) (SI = 1 mA)

* Tension d'isolement: 2500 Vrms (min.)

* Tension collecteur-émetteur: 55 V (min.)

* Courant de fuite: (max.) 10μA (Ta = 85 ° C)

* UL: UL1577, dossier no. E67349 Pin


Configurations Pin (liste vue de dessus)


Absolute Notes maximales (Ta = 25 ° C)

CaractéristiquessymboleÉvaluationUnité
TLP523

TLP523-2

TLP523-4

LEDcourant directI F6050mA
déclassant le courant ForwardΔI F / ° C-0,7 (Ta ≥ 39 ° C)-0,5 (Ta ≥ 25 ° C)Mac
Pulse courant directI FP1 (100 us impulsion, 100 ips)UNE
tension inverseV R5V
Détecteurtension collecteur-émetteurV CEO55V
tension émetteur-collecteurV ECO0,3V
Courant de collecteurI C150mA
puissance de dissipation Collector (1 circuit)P C150100mW

Collector dissipation de puissance derating

(1 circuit Ta ≥ 25 ° C)

AP C / ° C-1.5-1.0mW / ° C
Plage de température de stockageT stg-55 ~ 100° C
plage de température de fonctionnementT opr-55 ~ 125° C
température de soudure plomb (10s)T sol260° C
dissipation de puissance totaleP T250150mW

Total des derating de dissipation de puissance

(Ta ≥ 25 ° C)

AP T / ° C-2.5-1.5mW / ° C
Tension d'isolement (Note 1)BV S2500 (AC, 1min., RH≤ 60%)Vrms

Remarque: L' utilisation continue sous des charges lourdes (par exemple l'application de haute température / courant / tension et la variation significative de la température, etc.) peut provoquer ce produit pour diminuer la fiabilité de façon significative , même si les conditions de fonctionnement (température de fonctionnement / courant / tension, etc.) sont dans les notes maximales absolues.

S'il vous plaît concevoir la fiabilité appropriée lors de l' examen de la Toshiba Semiconductor Fiabilité Manuel ( «Précautions de manipulation" / "Déclassement Concept et méthodes») et des données de fiabilité individuelle (c. -- rapport de test de fiabilité et le taux d'échec estimé, etc.).

Note 1: Dispositif considéré comme un dispositif deux bornes: broches latérales LED en court - circuit et broches latérales du détecteur en court - circuit.


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Relais à semi-conducteur TLP523-4 de module de sortie de C.C du circuit intégré IC

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