Transistors complémentaires de Darlington de puissance de silicium de transistor de transistor MOSFET de la puissance Tip122

Numéro de type:TIP122
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:6800PCS
Délai de livraison:jour 1
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TIP120/121/122

TIP125/126/127

TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM

■ SALESTYPES PRÉFÉRÉ par STMicroelectronics

 

DESCRIPTION

Les TIP120, les TIP121 et les TIP122 sont des transistors de puissance de l'Épitaxial-base NPN de silicium dans la configuration monolithique de Darlington montée en paquet de plastique de Jedec TO-220. Ils intented pour l'usage dans la puissance linéaire et les applications de commutation. Les types complémentaires de PNP sont TIP125, TIP126 et TIP127, respectivement.

 

CAPACITÉS ABSOLUES

 Symbole       Paramètre                 Valeur Unité
  NPN TIP120 TIP121 TIP122
  PNP TIP125 TIP126 TIP127
 VCBO  Tension de collecteur-base (C.--D. = 0)  60  80  100  V
 VPRÉSIDENT  Tension de collecteur-émetteur (IB = 0)  60  80  100  V
 VEBO  SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE (IC = 0)                   5  V
  IC  Courant de collecteur                   5  A
 ICM  Courant de pointe de collecteur                   8  A
  IB  Courant bas                  0,1  A
 Doigtde P

  Dissipation totale au ℃ du ≤ 25 de Tcase

                                  ℃ du ≤ 25 de Tamb

                  65

                   2

  W
 Stgde T  Température de stockage             -65 150  ℃
  Tj  La température de jonction de Max. Operating                  150  ℃

 

SCHÉMA DE PRINCIPE TO-220 INTERNE

             

 

 

 

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Transistors complémentaires de Darlington de puissance de silicium de transistor de transistor MOSFET de la puissance Tip122

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