GaAs Ired de transistor de transistor MOSFET de la puissance TLP734 nouvelle et originale et transistor de photo

Photocoupleur TOSHIBA GaAs Ired & Photo-Transistor

TLP733, TLP734

Machine de bureau

Équipement ménager

Relais d'état solide

Changer de source d'alimentation

Les TOSHIBA TLP733 et TLP734 sont constitués d'un photo-transistor couplé optiquement une diode électroluminescente arséniure de gallium dans un DIP en plastique six plombs.

TLP734 est une connexion interne sans base pour les environnements EMI élevés.

• Tension collecteur-émetteur: 55 V (min.)
• Taux de transfert actuel: 50% (min.)
  • Rang GB: 100% (min.)
• UL reconnu: UL1577, dossier no. E67349
• Approuvé BSI: BS EN60065: 1994
  • Certificat no. 7364
  • BS EN60950: 1992
  • Certificat no. 7365
• SEMKO approuvé: SS4330784
  • Certificat no. 9325163, 9522142
• Tension d'isolement: 4000 Vrms (min.)
• Type d'option (D4)
  • VDE approuvé: DIN VDE0884 / 06.92,
    • Certificat no. 74286, 91808
  • Tension maximum d'isolement de fonctionnement: 630, 890 VPK
  • Tension de surtension maximale autorisée: 6000, 8000 VPK

(Remarque) Lorsqu'un type approuvé VDE0884 est nécessaire, veuillez désigner le "Option (D4)"

7,62 mm pich 10,16 mm pich

type standard de type TLP ××× F

Distance de criblage: 7,0 mm (min.) 8,0 mm (min.)

Dégagement: 7,0 mm (min.) 8,0 mm (min.)

Chemin de fuite interne: 4,0 mm (min.) 4,0 mm (min.)

Epaisseur d'isolation: 0,5 mm (min.) 0,5 mm (min.)

Valeurs maximales (Ta = 25 ° C)

Poids: 0.42 g

Configurations des broches (vue de dessus)

TLP733

1: Anode 2: Cathode 3: Nc 4: Emetteur 5: Collecteur 6: Base

TLP734

1: Anode 2: Cathode 3: Nc 4: Emetteur 5: Collecteur 6: Nc

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