TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL du transistor PNP de Pin BD140 3

Numéro de type:BD140
Point d'origine:Originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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APPLICATION D'USAGE UNIVERSEL.

CARACTÉRISTIQUES

· forte intensité. (Maximum : -1.5A)

·Gain actuel de C.C : hFE=40Min. @IC=-0.15A

·Complémentaire BD139.

 

ESTIMATION MAXIMUM (Ta=25℃)

CARACTÉRISTIQUESYMBOLE  ÉVALUATION  UNITÉ
Tension de collecteur-base VCBO -100 V
Tension de collecteur-émetteur VPRÉSIDENT  -80 V
Tension d'Émetteur-base VEBO  -5 V
Courant de collecteurIC-1,5 A
Courant basIB-0,5  A

 

China TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL du transistor PNP de Pin BD140 3 supplier

TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL du transistor PNP de Pin BD140 3

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