Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

Numéro de type:BSS138LT1G
Point d'origine:Originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Actionnez le transistor MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

 

  Les applications typiques sont des convertisseurs de DC−DC, actionnent la gestion dans les produits portatifs et battery−powered les téléphones tels que des ordinateurs, des imprimantes, de PCMCIA cartes, cellulaires et sans fil.

 

Caractéristiques

• Les paquets de Pb−Free sont disponibles

• Basse tension de seuil (VGS (Th) :

0,5 V−1.5 V) lui font l'idéal pour des applications de basse tension

• Le paquet miniature de bti de la surface SOT−23 ménage de l'espace de conseil

 

NOTES :

1. CALCUL DES DIMENSIONS ET TOLERANCING PAR NORME ANSI Y14.5M, 1982.

2. DIMENSION DE CONTRÔLE : POUCE.

3. L'ÉPAISSEUR MAXIMUM D'AVANCE INCLUT L'ÉPAISSEUR DE FINITION D'AVANCE. L'ÉPAISSEUR MINIMUM D'AVANCE EST L'ÉPAISSEUR MINIMUM DE LA MATIÈRE PREMIÈRE.

4. 318−03 ET −07 OBSOLÈTES, NOUVELLE NORME 318−08.

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = 25°C sauf indication contraire)


Évaluation Symbole Valeur Unité
Tension de Drain−to−SourceVSAD 50Volts continu
− de tension de Gate−to−Source continuVGS± 20Volts continu
Dissipation de puissance totale @ MERCI = 25°CPD225mW
Opération et température ambiante de température de stockageTJ, stgde T− 55 150°C
− Junction−to−Ambient de résistance thermiqueRJA556°C/W
La température maximum d'avance pour le soudure, pendant 10 secondesTL260°C

China Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 supplier

Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

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