Caractéristiques :
• Choisissez l'approvisionnement avec l'opération vers le bas 1.7V
pour (24AA256 et 24FC256 dispositifs, 2.5V pour) (dispositifs
24LC256)
• Technologie de basse puissance de CMOS : courant 1.Active 400 uA,
2.Standby Na typique du courant 100, 3.2-Wire interface
série typique, I2C™ compatible
• Jusqu' huit dispositifs Cascadable
• Entrées de déclencheur de Schmitt pour la
suppression de bruit •
Contrôle de pente de sortie pour éliminer le rebond au sol
• 100 kilohertz et 400 kilohertz de compatibilité d'horloge
• La page écrivent Mme maximum du
temps 5 • L'effacement
Auto-synchronisé/écrivent le cycle
• la page 64-Byte écrivent le tampon
• Protection contre l'écriture de
matériel
• Protection >4000V d'ESD
• Plus d'un million d'effacement/écrivent des
cycles
• Années de la conservation >200 de données
• Programmation d'usine disponible
• Les
paquets incluent 8 l'avance PDIP, SOIC, DFN, TDFN, TSSOP et MSOP
• Sans Pb et RoHS conformes
• Températures ambiantes : 1.Industrial (i) : - 40°C
+85°C2.Automotive (e) : - 40°C +125°C
Description :
Microchip Technology Inc. 24AA256/24LC256/24FC256 (24XX256*) est de
32K X (256 Kbit) de la publication périodique 8 un PROM
effaçable électriquement, capable de l'opération
travers une large gamme de tension (1.7V 5.5V). Il a été
développé pour des applications telles que des communications
personnelles ou par acquisition de données avancées et de
basse puissance. Ce dispositif fait également écrire une page
la capacité de jusqu' 64 octets de données. Ce dispositif est
capable d'aléatoire et séquentiel lit jusqu' la frontière
256K. Les lignes fonctionnelles d'adresse permettent jusqu'
huit dispositifs sur le même autobus, pour l'espace
d'adressage jusqu' de 2 Mbit. Ce dispositif est disponible
dans les 8 paquets en plastique d'IMMERSION, de SOIC, de TSSOP, de
MSOP, de DFN et de TDFN de goupille de la norme. Le 24AA256 est
également disponible dans le paquet d'échelle de puce de 8 avances.
Param. Non. | Sym. | Caractéristique | Minimal. | Maximum. | Unités | Conditions |
D1 | VIH | A0, A1, A2, CBLE COAXIAL, SDA et goupilles de wp : | — | — | — | — |
D2 | VIL | Tension d'entrée de haut niveau | 0,7 VCC | — | V | — |
| D3 | VHYS | Tension d'entrée de bas niveau Hystérésis de Schmitt Entrées de déclencheur (Goupilles de SDA, de cble coaxial) | — | 0,3 VCC | V | VCC<2> |
| D4 | Vol. | Tension de bas niveau de sortie | 0,5 VCC | — | V | VCC<2> |