HSMS-286C- diodes de détecteur de Schottky de micro-onde de bâti de surface de diode de redresseur de TR1G

Numéro de type:HSMS-286C- TR1G
Point d'origine:Originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal, Western Union
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Caractéristiques

• Paquets extérieurs du ‑ 143 du bti SOT-23/SOT

• Paquets du ‑ miniature 363 de SOT-323 et d'IVROGNE

• Sensibilité élevée de détection :

jusqu' 50 mV/µW 915 mégahertz

jusqu' 35 mV/µW 2,45 gigahertz

jusqu' 25 mV/µW 5,80 gigahertz

• Bas AJUSTEMENT (échec temps) Rate*

• Options de bande et de bobine disponibles

• Configurations uniques en paquet extérieur du bti SOT-363

– augmentez la flexibilité

– ménagez de l'espace de conseil

– réduisez le coût

• HSMS-286K a fondu les avances centrales fournit un isolement plus élevé du DB jusqu' 10

• Diodes assorties pour représentation cohérente

• Une meilleure conduction thermique pour la dissipation de puissance plus élevée

• Sans plomb

 

 

Description

La famille du ‑ 286x du HSMS d'Avago des diodes de détecteur partiales par C.C ont été conçues et optimisées pour l'usage de 915 mégahertz 5,8 gigahertz. Ils sont idéaux des applications pour de RF/ID et de rf étiquette aussi bien que grande détection de signal, modulation, rf la conversion de C.C ou doublement de tension.

 

   Disponible dans diverses configurations de paquet, cette famille des diodes de détecteur fournit des solutions de coût bas une grande variété de problèmes de conception. Les techniques de la fabrication d'Avago s'assurent que quand deux diodes ou plus sont montées dans un paquet extérieur simple de bti, elles sont prises des sites adjacents sur la gaufrette, assurant le degré plus élevé possible du match.  

 

Capacités absolues, comité technique = +25°C, diode simple

SymboleParamètreUnitéSOT-23/143SOT-323/363
PIVTension d'inverse maximalV2,02,0
TJLa température de jonction°C150150
TSTGTempérature de stockage°C-65 150-65 150
DESSUSTempérature de fonctionnement°C-65 150-65 150
θjcRésistance thermique [2]°C/W500150
 

 

 

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HSMS-286C- diodes de détecteur de Schottky de micro-onde de bâti de surface de diode de redresseur de TR1G

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