RÉGULATEUR de COMMUTATION RÉSONNANT de RETOUR RAPIDE de transistor de transistor MOSFET de la puissance STRG6653 OFF-LINE QUASI

STR-G6651

RÉGULATEUR DE COMMUTATION EN DIFFÉRÉ DE RETOUR RAPIDE DE QUASI-RESONANT

Le STR-G6651 est spécifiquement conçu pour répondre aux exigences pour l'intégration et la fiabilité accrues dans des convertisseurs quasi-résonnants en différé de retour rapide. Ce dispositif incorpore le contrôle et le circuit primaires d'entraînement avec un transistor MOSFET avalanche-évalué discret de puissance.

la limitation actuelle de Cycle-par-cycle, le lock-out de sousvoltage avec l'hystérésis, la protection de surtension, et l'arrêt thermique protège l'alimentation d'énergie pendant les conditions normales de surcharge et de panne. La protection de surtension et l'arrêt thermique sont verrouillés après un délai court. Le verrou peut être remis zéro en faisant un cycle l'approvisionnement d'entrée. Le démarrage faible intensité et un mode veille de basse puissance choisi parmi le circuit secondaire accomplit une suite complète des caractéristiques. Le dispositif est fourni dans un paquet du style TO-220 sur-moulé pargoupille, ayant les moyens l'isolement diélectrique sans compromettre des caractéristiques thermiques. Deux formes d'avance sont disponibles (avec et sans le suffixe “- LF ") pour adapter la disposition de carte électronique ou aux contraintes mécaniques.

Avéré en volumes substantiels, le STR-G6651 est une solution faible risque robuste pour les alimentations d'énergie en différé en particulier où la gestion de l'IEM la source est un élément significatif de la conception de système.

CARACTÉRISTIQUES

Opération Quasi-résonnante de ■

■ de puissance de sortie 66 W

Bas-perte de ■, mode veille d'Impulsion-Rapport-contrôle

Protection température compensée de surintensité d'Impulsion-par-impulsion de ■

Surtension et protection thermique verrouillées par ■

Lock-out de sousvoltage de ■ avec l'hystérésis

Filtre passe-bas actif de ■ pour la stabilité augmentée de Lumière-charge

Atténuation commutée par ■ de signal de Actuel-détection marginal

Commande molle de porte réglée par ■

Vitesse de commutation réglable de ■ pour le contrôle d'IEM

Paquet de Cinq-Pin d'Overmolded de ■

CAPACITÉS ABSOLUES aux VENTRES = au +25°C

Commandez la tension d'alimentation, VIN……. 35 V

Tension de Drain-source, V_DS……. 650 V

Vidangez le courant, identification

    ……………… 2,7 continus A

    monopulsé, Mme du ≤ 1 de la TW……. 7,2 A

Énergie d'avalanche, E_AS

    …………… 158 monopulsés MJ

Chaîne de tension de protection de surintensité,

    V_OCP…………… -0,3 V +6 V

Tension de l'isolation RMS,

    V_WM(RMS)……………… 2000 V

Dissipation de puissance de paquet, P_D

    contrôle (V_DANS x I_{DEDANS(DESSUS)}) ……… 0,8 W

    total………………. Voir le graphique

Le FET creusent des rigoles la température, TJ… +150°C

La température interne de cadre, TF. +125°C

Chaîne de température de fonctionnement,

    T_A…………… -20°C +125°C

Température ambiante de température de stockage,

    T_S…………… -40°C +125°C

SCHÉMA FONCTIONNEL FONCTIONNEL

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