Transistor de transistor MOSFET de puissance de la Manche de N, transistor à effet de champ de MOS 2SK3561

 
 
Transistor de transistor MOSFET de puissance de la Manche de N, transistor effet de champ de MOS 2SK3561
 

Type de MOS de la Manche du silicium N de transistor effet de champ de TOSHIBA (π-MOSVI)

2SK3561
 
Applications de régulateur de commutation
 
• Basse drain-source SUR la résistance : Le RDS (DESSUS) = 0.75Ω (type.)
• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 6.5S (type.)
• Bas courant de fuite : IDSS = μA 100 (VDS = 500 V)
• Mode d'amélioration : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, identifications = 1 mA)
 
Capacités absolues (merci = 25°C)

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d' hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.--d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.--d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).
 
Caractéristiques thermiques

Note 1 : Assurez-vous que la température de canal ne dépasse pas 150℃.
Note 2 : VDD = 90 V, Tch = 25°C (initiale), L = 8,3 MH, IAR = 8 A, RG = 25 Ω
Note 3 : Estimation répétitive : durée d'impulsion limitée par la température maximum de canal
Ce transistor est un dispositif sensible électrostatique. Manipulez svp avec prudence.
 
  
                                                            Poids : 1,7 g (type.)
 
 
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