Les puces E28F128J3A-150 et le circuit intégré de circuits intégrés ébrèchent la mémoire d'Intel StrataFlash de 3 volts

Mémoire d'Intel® StrataFlash™ de 3 volts

28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A (x8/x16)

Caractéristiques du produit

La haute densité de ■ Symétrique-a bloqué l'architecture

    — 128 blocs de l'effacement 128-Kbyte (128 M)

    — 64 blocs de l'effacement 128-Kbyte (64 M)

    — 32 blocs de l'effacement 128-Kbyte (32 M)

Le mode page asynchrone d'interface de haute performance de ■ lit

    — 110/25 fois de NS accès en lecture (32 M)

    — 120/25 fois de NS accès en lecture (64 M)

    — 150/25 fois de NS accès en lecture (128 M)

opération VCC du ■ 2,7 V-3.6 V

registre de protection de bit du ■ 128

    — identificateur de dispositif unique 64-bit

    — cellules programmables de l'utilisateur 64-bit OTP

Le ■ a augmenté la protection absolue de caractéristiques de protection des données avec VPEN = terre

    — Verrouillage flexible de bloc

    — Effacement de bloc/lock-out de programme pendant les transitions de puissance

Emballage de ■

    — paquet de 56-Lead TSOP

    — paquet facile de 64-Ball Intel® BGA

Ensemble Croix-compatible de commande de base d'Intel de soutien de commande de ■

    — Interface instantanée commune

    — Ensemble extensible de commande

le ■ 32-Byte écrivent le tampon

    — 6 µs par temps de programmation efficace d'octet

■ 12.8M Min. Erase Cycles total (128 Mbit)

   6.4M Min. Erase Cycles total (64 Mbit)

   3.2M Min. Erase Cycles total (32 Mbit)

    — cycles minimum de l'effacement 100K par bloc

L'automation de ■ suspendent des options

    — L'effacement de bloc suspendent pour lire

    — L'effacement de bloc suspendent pour programmer

    — Le programme suspendent pour lire

technologie de stockage d'Intel® StrataFlash™ de µ du ■ 0,25

Profitant de 0,25 technologies de deux-peu-par-cellule de génération du µ d'Intel, les produits de mémoire d'Intel® StrataFlash™ de deuxième génération fournissent 2X le peu dans 1X l'espace, de nouvelles configurations pour la représentation de courant principal. Offert dans 128-Mbit (16-Mbyte), les densités 64-Mbit, et 32-Mbit, ces dispositifs apportent fiable, storage technology de deux-peu-par-cellule au segment de marché instantané.

Les avantages incluent : plus de densité dans moins d'espace, d'interface ultra-rapide, de plus bas coût-par-peu NI dispositifs, de soutien de code et de stockage de données, et de migration facile de futurs dispositifs.

Utilisant la même technologie basée sur Ni d'ETOX™ que les produits de l'un-peu-par-cellule d'Intel, les blocs de mémoires d'Intel StrataFlash tirent profit plus d'un milliard d'unités d'expérience de fabrication depuis 1987. En conséquence, les composants d'Intel StrataFlash sont idéaux pour des applications de code et de données où la haute densité et le coût bas sont exigés. Les exemples incluent la mise en réseau, la télécommunication, les boîtiers décodeur numériques, l'enregistrement audio, et l'imagerie numérique.

En appliquant des pinouts de famille de mémoire de FlashFile™, les composants de mémoire d'Intel StrataFlash permettent des migrations faciles de conception de mémoire de la taille de la Word existante de FlashFile (28F160S3 et 28F320S3), et des dispositifs de mémoire d'Intel StrataFlash de première génération (28F640J5 et 28F320J5).

Les composants de mémoire d'Intel StrataFlash fournissent une nouvelle génération de software support en avant-compatible. l'aide de l'interface instantanée commune (CFI) et de la commande extensible (SCS) réglé, les clients peuvent tirer profit des mises jour de densité et optimisé écrivez les capacités de futurs blocs de mémoires d'Intel StrataFlash.

Construit sur Intel® la technologie transformatrice de 0,25 microns ETOX™ VI, la mémoire d'Intel StrataFlash fournit les niveaux les plus élevés de la qualité et de la fiabilité.

Capacités absolues

NOTES :

1. Toutes les tensions spécifiques sont en ce qui concerne la terre. La tension CC Minimum est – 0,5 V sur des goupilles d'entrée-sortie et – 0,2 V sur des goupilles de VCC et de VPEN. Pendant les transitions, ce niveau peut sous-évaluer – 2,0 V pendant des périodes <20 ns="">

2. Sortie abréviation pas plus d'une seconde. Pas plus d'un produit court-circuité la fois.

Schéma fonctionnel de mémoire d'Intel® StrataFlash™ de 3 volts

Offre courante (vente chaude)

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