TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL électrique du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de puissance du fossé HJ44H11

TRANSISTOR DE SILICIUM DE HJ44H11 NPN

TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN

DESCRIPTION de „

L'UTC HJ44H11 est conçu pour des applications telles que : série, shunt et régulateurs de commutation ; étapes de sortie et de conducteur des amplificateurs fonctionnant aux fréquences partir du C.C plus grand que 1MHz ; bas et haute fréquence inverseurs/convertisseurs ; et beaucoup d'autres.

CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃)

Note : Les capacités absolues sont ces valeurs au del dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.

          Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES

Offre courante (vente chaude)

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