Commutateur à semi-conducteur du transistor LM1951 1 ampère de transistor MOSFET de puissance de puce de l'amplificateur IC de transistor MOSFET de puissance de commutation de LM1951T

Numéro de type:LM1951T
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8300pcs
Délai de livraison:jour 1
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Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Commutateur semi-conducteur du transistor LM1951 1 ampère de transistor MOSFET de puissance de puce de l'amplificateur IC de transistor MOSFET de puissance de commutation de LM1951T

 

Description générale

Le LM1951 est un commutateur (PNP) latéral forte intensité, haute tension, élevé avec un circuit de détection intégré des erreurs.

Le LM1951 est garanti pour fournir le courant de sortie de 1 ampère et est capable de la résistance jusqu'aux coupures de g85V. La détection intégrée des erreurs fournit un drapeau d'erreur produit dans les conditions suivantes de panne : produisez sous peu pour rectifier ou fournir, charge ouverte, limite actuelle, surtension ou arrêt thermique. Le LM1951 conduira tous les types de charges résistives ou inductives. La sortie a une bride de tension négative intégrée (et b30V) pour fournir un chemin rapide de décharge d'énergie pour les charges inductives. Le LM1951 comporte TTL et la logique compatible de CMOS a entré avec l'hystérésis. Les temps de commutation, s'allument et s'éteignent, sont Mme 2 (Cload k 0,005 mF). En outre, son courant tranquille dans l'état est typiquement moins de 0,1 mA la température ambiante et moins de 10 mA sur la gamme entière de température de fonctionnement et de tension.

Les caractéristiques LM1951 le rendent bien adapté pour des applications industrielles et des véhicules moteur.

 

Caractéristiques

  • 0,1 courants tranquilles typiques de mA (OUTRE de l'état)
  • Courant de sortie de 1 ampère garanti
  • protection de coupure de g85V
  • Protection de tension inverse
  • Bride de tension négative de sortie
  • Sortie de drapeau d'erreur
  • Arrêt interne de surtension
  • Arrêt thermique interne
  • Preuve de court-circuit
  • Commutation grande vitesse (jusqu' 50 kilohertz)
  • Charges inductives ou résistives
  • Le bas SUR la résistance (maximum 1X)
  • TTL, entrée compatible de CMOS avec l'hystérésis
  • Paquet d'avance du plastique TO-220 5
  • ESD protégé
  • 4.5V l'opération 26V

Capacités absolues

Si les militaires/espace spécifiaient des dispositifs sont exigés, entrent en contact avec svp le bureau de vente de semi-conducteur/distributeurs nationaux pour la disponibilité et les caractéristiques.

 

Tension d'alimentation

    C.C opérationnel de la tension 26 V

    C.C soutenu du ≦ 85 V deccde ≧V deC.C de la tension -40 V

    Protection passagère ±85V de tension

    (r -- 100 Mme, coefficient d'utilisation de 1%, Rdu ≧ 10Ω deS)

    Bornes 4, C.C de 5 26 V

Dissipation de puissance (note 1) intérieurement limitée

Inductance 1H de charge

Chaîne de température de fonctionnement (TA) -40℃ +125℃

La température de jonction maximum 150℃

Température ambiante de température de stockage -65℃ +150℃

La température d'avance (soudure, sec 10.) 260℃

Tolérance d'ESD (note 4) :                                       2000V

 

Circuit d'application et diagramme de connexion typiques

 

 

 

 

 

 

 

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Commutateur à semi-conducteur du transistor LM1951 1 ampère de transistor MOSFET de puissance de puce de l'amplificateur IC de transistor MOSFET de puissance de commutation de LM1951T

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