Microcontrôleurs d'instantané d'USB de puce de circuit intégré de diode de redresseur de NGD8201NG

NGD8201NG Redresseur Diode Circuit intégré Microcontrôleurs Flash USB

NGD8201NG

Allumage IGBT 20 A, 400 V, N-Channel DPAK

Ce transistor bipolaire port isolé niveau logique (IGBT) comporte un circuit monolithique intégrant ESD et une protection serrée contre les surtensions pour une utilisation dans des applications de bobines inductives. Les utilisations principales incluent l'allumage, l'injection directe de carburant, ou partout où la haute tension et la commutation de courant élevée sont exigées.

Caractéristiques

• Idéal pour les applications bobine sur fiche et pilote sur bobine

• Le paquet DPAK offre une plus petite empreinte pour un espace de planches plus grand

• Protection ESD porte-émetteur

• Limites de la limite de tension du collecteur de porte compensée en température Stress appliqué la charge

• Protection contre les diodes ESD intégrées

• Tension de seuil bas pour l'interfaçage des charges de puissance aux dispositifs logiques ou microprocesseur

• Faible tension de saturation

• Haute capacité de courant pulsé

• Résistance de porte optionnelle (RG) et résistance porte-émetteur (RGE)

Applications

• Système d'allumage

COTES MAXIMALES (TJ = 25 ° C , sauf indication contraire)

Cote Symbole Valeur Unité Tension collecteur-émetteur VCES 440 V

Tension de collecteur-porte VCER 440 V

Tension de porte-émetteur VGE 15 V

Courant du collecteur-Continu @ TC = 25 ° C - IC pulsé 20 50

ADC AAC Courant continu de porte IG 1,0 mA

Courant de porte transitoire (t ≤ 2 ms, f ≤ 100 Hz) IG 20 mA

ESD (modèle chargeur) ESD 2.0 kV

ESD (modèle de corps humain) R = 1500,

C = 100 pF ESD 8,0 kV ESD (modèle de machine) R = 0, C = 200 pF

ESD 500 V Dissipation de puissance totale @ TC = 25 ° C

Dégrader au-dessus de 25 ° C PD 125 0,83 WW / ° C

Température de fonctionnement et de stockage TJ, Tstg -55 +175 ° C

Une partie de la liste d'actions

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