Bâti extérieur des régulateurs de tension de Zener de diode de redresseur de diodes Zener de silicium de MMSZ5230BT1G 123 planaires

Numéro de type:MMSZ5230BT1G
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:9300pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Bti extérieur des régulateurs de tension de Zener de diode de redresseur de diodes Zener de silicium de MMSZ5230BT1G 123 planaires

 

Trois séries complètes de diodes Zener sont offertes dans le commode, le paquet SOD−123 en plastique de bti de surface. Ces dispositifs fournissent une alternative commode au style 34−package sans plomb.

 

Caractéristiques

• estimation de 500 mW sur le panneau FR−4 ou FR−5

• − large de chaîne de tension inverse de Zener 2,4 V 110 V

• Paquet conçu pour l'Assemblée automatisée optimale de conseil

• Taille de petit paquet pour des applications haute densité

• Usage universel, courant moyen

• Estimation d'ESD de la classe 3 (>16 kilovolt) par modèle de corps humain

• Les paquets de Pb−Free sont disponibles

 

Caractéristiques mécaniques

CAS : caisse de plastique sans nulle, transfert-moulé, thermodurcissable

FINITION : Finition anticorrosion, facilement solderable

TEMPÉRATURE DE CARTER MAXIMUM POUR LE SOUDURE : 260°C pendant 10 secondes

POLARITÉ : Cathode indiquée par la bande de polarité

ESTIMATION D'INFLAMMABILITÉ : UL 94 V−0

 

ESTIMATIONS MAXIMUM

ÉvaluationSymboleMaximumUnité

Dissipation de puissance totale sur le panneau FR−5,

(Note 1) @ TL = 75°C

Sous-sollicité au-dessus de 75°C

PD

 

500

6,7

mW

mW/°C

Résistance thermique, (note 2)

Junction−to−Ambient

RdeθJA340°C/W

Résistance thermique, (note 2)

Junction−to−Lead

RduθJL150°C/W
Température ambiante de jonction et de température de stockageTJ, stgde T−55 +150°C

Les estimations maximum sont ces valeurs au del dont les dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum appliquées au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.

1. FR−5 = 3,5 x 1,5 s'avance petit petit, utilisant l'empreinte de pas recommandée par minimum.

2. Mesure de résistance thermique obtenue par l'intermédiaire de la méthode de balayage infrarouge.

 

 

DIMENSIONS DE PAQUET

SOD−123

CAS 425−04

QUESTION C

 

 

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Bâti extérieur des régulateurs de tension de Zener de diode de redresseur de diodes Zener de silicium de MMSZ5230BT1G 123 planaires

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