Transistor de transistor MOSFET de la puissance MMBF170, N - transistor à effet de champ de mode d'amélioration de la Manche

BS170/MMBF170

Transistor effet de champ de mode d'amélioration de N-canal

Description générale

Ceux-ci des transistors effet de champ de mode d'amélioration de N-canal sont produits utilisant Fairchild de propriété industrielle, densité élevée de cellules, technologie de DMOS. Ces produits ont été conçus pour réduire au minimum la résistance de sur-état tandis que fournissez la représentation rocailleuse, fiable, et rapide de commutation. Ils peuvent être employés dans la plupart des applications exigeant jusqu' C.C 500mA. Ces produits approprié en particulier la basse tension, aux applications faible intensité telles que le petit contrôle de moteur servo, aux conducteurs de porte de transistor MOSFET de puissance, et d'autres applications de commutation.

Caractéristiques

• Conception haute densité de cellules pour bas R_DS(DESSUS).
• Commutateur commandé de signal de tension petit.
• Rocailleux et fiable.
• Capacité élevée de courant de saturation.

Capacités absolues T_A = 25°C sauf indication contraire

                 Circuit d'essai de commutation.                                   Formes d'onde de commutation.

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