Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, transistors de puissance complémentaires de Darlington

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, transistors de puissance complémentaires de Darlington

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

Transistors de puissance complémentaires de Darlington

DPAK pour les applications extérieures de bti

TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM

2 AMPÈRES

100 VOLTS

20 WATTS

Conçu pour la puissance et la commutation d'usage universel telle que des étapes de sortie ou de conducteur dans les applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs, et des amplificateurs de puissance.

Caractéristiques

• Les paquets de Pb−Free sont disponibles

• Avance formée pour les applications extérieures de bti dans des gaines plastiques (aucun suffixe)

• Version droite d'avance dans suffixe des gaines plastiques ("−1 »)

• Version formée par avance dans la bande de 16 millimètres et la bobine (« T4 » et suffixe de « RL »)

• Électriquement semblable la série TIP31 et TIP32 populaire

ESTIMATIONS MAXIMUM

Les estimations maximum sont ces valeurs au del dont les dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum appliquées au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.

DIAGRAMMES D'INSCRIPTION

DIMENSIONS DE PAQUET

DPAK

CAS 369C

QUESTION O

DPAK−3

CAS 369D−01

QUESTION B

Anterwell était construction en 2004, ce moment-l nous juste une petite entreprise comme une graine.

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