Transistor d'usage universel à haute tension de npn de silicium construit dans une diode plus humide, 2SD1290

Numéro de type:2SD1290
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8000
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Transistor d'usage universel haute tension 2SD1290 de npn de silicium construit dans une diode plus humide

 

DESCRIPTION

·Avec le paquet de TO-3PN

·Diode intégrée d'amortisseur

·Haute tension, fiabilité élevée

·Zone ample d'exploitation sûre

 

APPLICATIONS

·Pour le débattement horizontal de la couleur TV

  applications de sortie

 

GOUPILLER

      PIN      DESCRIPTION
       1    Base
       2

    Collecteur ; relié  monter la base

       3    Émetteur

 

 

 

Capacités absolues (Ta=25℃)

 SYMBOLE       PARAMÈTRE           CONDITIONS   VALEUR   UNITÉ
   VCBO  Tension de collecteur-base   Ouvrez l'émetteur   1500     V
   VEBO  tension d'Émetteur-base   Ouvrez le collecteur     5     V
    IC  Courant de collecteur (C.C)      3     A
    ICM  Courant de collecteur (impulsion)     10     A
    PC  Dissipation de puissance de collecteur   TC=25℃     50     W
    Tj  La température de jonction     130     ℃
    Stgde T  Température de stockage   -55~130     ℃

 

 

CARACTÉRISTIQUES Tj=25℃ sauf indication contraire

 SYMBOLE         PARAMÈTRE        CONDITIONS  MINIMAL.  TYPE.  MAXIMUM.  UNITÉ
 V(BR)EBO tension claque d'Émetteur-base C.--D. =500mA ; IC=0    5      V
 VCEsat Tension de saturation de collecteur-émetteur IC=2A ; IB=0.75A      5,0    V
 VBEsat Tension de saturation d'émetteur de base IC=2A ; IB=0.75A       1,5    V
 ICBO Courant de coupure de collecteur

 VCB=750V ; C.--D. =0

 VCB=1500V ; C.--D. =0

  

     50

      1

   μA

   mA

 Fede h Gain actuel de C.C IC=2A ; VCE=10V     3       8 
 ts Temps d'entreposageIC=2A ILeak=0.75A, LB=5μH     3       7    μs
 tf Temps de chute        1    μs
 VF Tension en avant de diode IF=-4A, IB=0       2,2     V

 

 

CONTOUR DE PAQUET

 

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Transistor d'usage universel à haute tension de npn de silicium construit dans une diode plus humide, 2SD1290

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