Transistor de silicium du FET NPN de MOS de la Manche du transistor N de Pin 2SK2996 3

Offre courante (vente chaude)

Type de MOS de la Manche du silicium N de transistor effet de champ de TOSHIBA

(π−MOSV) 2SK2996

Applications de convertisseur de DC−DC, d'entraînement de relais et d'entraînement de moteur

Bas drain−source SUR la résistance : R_DS(DESSUS) = 0,74 Ω (type.)

Accès de transfert en avant élevé : |Y_fs| = 6,8 S (type.)

Bas courant de fuite : I_SAD = μA 100 (maximum) (V_DS = 600 V)

Mode d'amélioration : _Th V = 2.0~4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1 mA)

Capacités absolues (merci = 25°C)

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d' hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.--d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.--d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

   Poids : 1,9 g (type.)

Anterwell était construction en 2004, ce moment-l nous juste une petite entreprise comme une graine.

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