Transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IC de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP30N06

Offre courante (vente chaude)

FQP30N06

transistor MOSFET du N-canal 60V

Description générale

Ceux-ci des transistors effet de champ de puissance de mode d'amélioration de N-canal sont produits utilisant Fairchild de propriété industrielle, rayure planaire, technologie de DMOS.

Cette technologie de pointe a été particulièrement travaillée pour réduire au minimum la résistance de sur-état, pour fournir la représentation supérieure de commutation, et pour résister l'impulsion de haute énergie en mode d'avalanche et de commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés pour des applications de basse tension telles que les convertisseurs des véhicules moteur, de C.C de C.C, et la commutation de rendement élevé pour la gestion de puissance dans les produits portatifs et piles.

Caractéristiques

• 30A, 60V, R_DS (dessus) = @V 0.04Ω_GS = 10 V

• Basse charge de porte (19 typiques OR)

• Bas Crss (40 typiques PF)

• Commutation rapide

• avalanche 100% examinée

• Capacité améliorée de dv/dt

• estimation maximum de la température de jonction 175°C

Capacités absolues T_C = 25°C sauf indication contraire

Anterwell était construction en 2004, ce moment-l nous juste une petite entreprise comme une graine.

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