TRANSISTOR de PUISSANCE de SILICIUM de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA1412

Numéro de type:2SA1412
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:7900pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
REF5025AIDGKR7693TI15+MSOP-8
REF5025AIDR5866TI16+SOP-8
REG113NA-3/3K6375TI15+SOT23-5
RFANT5220110A2T48000WALSIN16+SMD
RGP02-20E-E3/5482000VISHAY16+DO-41
RHRP306017467FSC14+TO-220
RJH60F7DPQ7148RENESAS13+TO-247
RN1907FE161000TOSHIBA15+SOT-563
RPR-2203874ROHM14+DIP-4
RR264MM-400TR12000ROHM15+SOD-123
RS1J-E3/61T45000VISHAY16+DO-214AC
RS3MB-13-F18000DIODES16+DO-214AA
RS50788000SEPT16+DIP-4
RSA5MG164000ROHM16+SOD-123
RSX101VA-30TR66000ROHM15+SOD-323
RT3140123836TYCO13+DIP-8
RT7257AHZSP7602RICHTEK14+SOP-8
RT8011APQW20000RICHTEK14+QFN
RT8250GSP19368RICHTEK13+SOP-8
RT8289GSP6446RICHTEK12+SOP-8
RT9161A-33PG40000RICHTEK15+SOT-223
RT9162-33PX66000RICHTEK14+SOT-89
RT9167A-33GB11000RICHTEK13+SOT23-5
RT9167A-50GB23060RICHTEK16+SOT23-5
RT9701PBL90000RICHTEK13+SOT23-5
RT9715EGB67000RICHTEK11+SOT23-5
RTC72421A6330EPSON14+DIP-18
RTD2271CW-CG3861REALTEK12+QFP128
RTL8111F-CG3855REALTEK14+QFN48
RU190N08Q16236RUICHIPS16+TO-247

 

 

TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM 2SA1412-Z

TRANSISTOR DIFFUS PAR TRIPLE DE SILICIUM DE PNP

 

DESCRIPTION

Le 2SA1412-Z est conçu pour la commutation haute tension, particulièrement dans des circuits intégrés hybrides.

 

CARACTÉRISTIQUES

• Haute tension : VCEO = −400 V

• Grande vitesse : μs du ≤ 0,7 de tf

• Complément 2SC3631-Z

 

CAPACITÉS ABSOLUES (TA = 25°C)

Collecteur la tension basse VCBO −400 V

Collecteur auPrésident −400 Vde la tension V d'émetteur

Base la tension VEBO −7 V d'émetteur

Courant de collecteur (C.C) IC(C.C) −2.0 A

Note 1 IC(impulsion) −4.0 Ade courantde collecteur (impulsion)

Dissipation de puissance totale (MERCI = 25°C) note 2 P2,0 W

°C de la température de jonction Tj 150

Stg −55de la température de stockage T au °C +150

                                                                                                                                                    

Notes Mme du ≤ 10 de 1. picowatt, ≤ 50% de coefficient d'utilisation

            2. Une fois monté sur le substrat en céramique de 7,5 cm2 de × 0,7 millimètres  

 

DESSIN de PAQUET (unité : millimètre)

 

 

 

China TRANSISTOR de PUISSANCE de SILICIUM de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA1412 supplier

TRANSISTOR de PUISSANCE de SILICIUM de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA1412

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