Transistor de semi-conducteur de composants de l'électronique d'IS61LV25616AL -10TLI

Numéro de type:IS61LV25616AL-10TLI
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:7300pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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IS61LV25616AL

256K X 16 CMOS ASYNCHRONE GRANDE VITESSE MÉMOIRE RAM STATIQUE AVEC L'APPROVISIONNEMENT 3.3V

 

 

CARACTÉRISTIQUES

• Temps d'accès haut débit :

  — 10, 12 NS

• Opération de puissance faible de CMOS

• Le bas support-par la puissance :

  — Moins de 5 mA (type.) CMOS support-par

 

• Niveaux d'interface compatibles de TTL

• Alimentation de l'énergie 3.3V simple

• Opération entièrement statique : aucune horloge ou ne régénèrent requis

• Trois sorties d'état

 

• Contrôle de données pour les octets supérieurs et inférieurs

• La température industrielle disponible

• Disponible sans plomb

 

DESCRIPTION

L'ISSI IS61LV25616AL est un ultra-rapide, 4 194 304 le bit MÉMOIRE RAM statique organisée en tant que 262 144 mots par 16 bits. Il est fabriqué utilisant la technologie performante du CMOS d'ISSI. Ce processus fortement fiable ajouté aux techniques de conception innovatrices de circuit, dispositifs performants de puissance d'andlow de rendements.

 

Quand le CE est HAUT (ne pas sélectionner), le dispositif assume un mode veille auquel la dissipation de puissance peut être réduite vers le bas avec des niveaux saisie de CMOS.

 

L'ajout de mémoire facile est fourni l'aide de la puce permettent et produire permettez les entrées, le CE et l'OE. Le BAS actif écrivent permettent l'écriture de contrôles de (WE) et la lecture de la mémoire. Un octet de données permet l'octet supérieur (UB) et l'accès inférieur de (LB) d'octet.

 

L'IS61LV25616AL est empaqueté dans la borne de la norme 44 de JEDEC SOJ de 400 mils, 44 le type II, 44 la goupille LQFP de la goupille TSOP et 48 goupillent mini BGA (8mm x 10mm).

 

CAPACITÉS ABSOLUES(1)

SymboleParamètreValeurUnité
VtermTension terminale en ce qui concerne la terre– 0,5 Vdd+0.5V
TstgTempérature de stockage– 65 +150°C
PinteDissipation de puissance1,0W

Note : 1. l'effort plus grand que ceux énumérés sous des CAPACITÉS ABSOLUES peut endommager permanent le dispositif. C'est un effort évaluant seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de capacité absolue pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité.

 

PLAGE DE FONCTIONNEMENT

  VDENSITÉ DOUBLE
GammeTempérature ambiante10ns12ns
Commercial0°C +70°C3.3V +10%, -5%3.3V + 10%
Industriel– 40°C +85°C3.3V +10%, -5%3.3V + 10%

 

SCHÉMA FONCTIONNEL FONCTIONNEL

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
H11G1SR2M3977FAIRCHILD10+SOP-6
H11L1SR2M14256FAIRCHILD16+CONCESSION
H1260NL10280IMPULSION15+SMD
HA173243948RENESAS14+DIP-14
HA17324ARPEL-E-Q7361RENESAS15+SOP-14
HCF4051BEY3919St16+IMMERSION
HCF4052M013TR7598St13+SOP-16
HCF4060BE18658St14+IMMERSION
HCNR2006587AVAGO15+DIPSOP
HCNR200-000E7432AVAGO15+IMMERSION
HCNW2611-000E5720AVAGO16+DIP-8
HCNW45026210AVAGO13+CONCESSION
HCPL-04663551AVAGO15+SOP-8
HCPL-063015108AVAGO16+SOP-8
HCPL-06395791FAIRCHILD13+SOP-8
HCPL-181-000E9000AVAGO16+SOP-4
HCPL-26028795AVAGO16+SOP-8
HCPL2630SD2204FSC16+CONCESSION
HCPL-273115179AVAGO13+DIPSOP
HCPL-31209870AVAGO15+DIPSOP
HCPL-316J13751AVAGO12+SOP-18
HCPL-450421001AVAGO16+DIPSOP
HCPL-450612623AVAGO14+DIP-8
HCPL-7840-500E5971AVAGO15+CONCESSION
HCPL-786J13822AVAGO16+SOP-16
HD06-T54000DIODES15+SMD
HD64F3687FPV3168RENESAS14+TQFP-64
HD74LS00P8647RENESAS16+DIP-14
HD74LS04P8718RENESAS13+DIP-14
HD74LS125P8931RENESAS15+IMMERSION

 

 

 

 

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Transistor de semi-conducteur de composants de l'électronique d'IS61LV25616AL -10TLI

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