CY62256NLL-70PXC 256K (carte de carte de circuit imprimé de 32K X 8) MÉMOIRE RAM statique IC IC

Numéro de type:CY62256NLL-70PXC
Point d'origine:Originale
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:290pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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CY62256NLL-70PXC 256K (carte de carte de circuit imprimé de 32K X 8) MÉMOIRE RAM statique IC IC


Caractéristiques

Températures ambiantes de ■

Message publicitaire de ❐ : 0°C 70°C

❐ industriel : – 40°C 85°C

❐ des véhicules moteur-Un : – 40°C 85°C

❐ des véhicules moteur-e : – 40°C 125°C

Grande vitesse de ■ : 55 NS

Chaîne de tension de ■ : 4.5V l'opération 5.5V

■ bas Active Power

❐ 275 mW (maximum)

Basse alimentation générale de ■ (version de LL)

μW du ❐ 82,5 (maximum)

Ajout de mémoire facile de ■ avec des configurations de la CE et d'OE

Entrées et sorties TTL-compatibles de ■

Mise hors tension automatique de ■ une fois ne pas sélectionner

■ CMOS pour la vitesse et la puissance optimas

■ disponible dans 28-Pin sans Pb et non sans Pb (600-mil) PDIP,

étroit 28-Pin (300-mil) SOIC, 28-Pin TSOP-I,

et 28-Pin paquets de l'inverse TSOP-I

 

Description fonctionnelle

Le CY62256N [1] est une haute performance CMOS MÉMOIRE RAM statique organisée en tant que mots 32K par 8 bits. L'ajout de mémoire facile est fourni par une BASSE puce active permettent (CE) et la BASSE sortie active permettent (OE) et les conducteurs de trois états. Ce dispositif fait comporter une puissance automatique vers le bas, réduisant la puissance par 99,9 pour cent une fois ne pas sélectionner.

 

Un BAS actif écrivent permettent des contrôles de signal (NOUS) l'écriture/opération "lecture" de la mémoire. Quand le CE et NOUS des entrées sont les deux BAS, des données sur les huit goupilles d'entrée-sortie de données (I/O0 par I/O7) sont écrites dans l'emplacement de mémoire adressé par l'adresse actuelle sur les goupilles d'adresse (A0 par A14). La lecture du dispositif est accomplie en choisissant le dispositif et en permettant les sorties, le CE et le BAS actif d'OE, alors que NOUS reste inactif ou HAUT. Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement adressé par l'information sur des goupilles d'adresse est présent sur les huit goupilles d'entrée-sortie de données.

 

Les goupilles d'entrée-sortie restent dans un état grande impédance moins que la puce soit choisie, des sorties sont permises, et écrivent permettent (WE) est HAUTE.

 

 

 

BULLETIN DE LA COTE 

CA1458E1380INTERSIL15+IMMERSION
7MBR50NF060500FUJI16+MODULE
AD517JH2450ANNONCE13+POUVEZ
2N63943000SUR14+TO-220
2SA1385-Z-E13000NEC16+TO-252
ASPC2R/STE2A1600SUR16+QFP100
IRF7101500IR13+CONCESSION
BQ27510DRZR-G21560TI15+QFN
IRF8401500IR16+TO-220
IRF7401500IR16+CONCESSION
ADG783BCPZ2000ANNONCE15+LFCSP
ADM3202ARNZ2000ANNONCE15+SOP-16
1N4448W-7-F9000DIODES13+SOD123
IRF7389TR1500IR15+CONCESSION
HA13164AH3460COUP15+IMMERSION
IRFR024N1500IR13+TO-252
HT9302G2460HOLTEK14+DIP-16
BTA08-600BW2100St13+TO-220
2SD15553000TOSHIBA13+TO-3P
2SK29963000TOSHIBA15+TO-220F
2SK26713000SHINDENGE15+TO-220
2SK34513000FUJI16+TO-220F
AD574AJD2450ANNONCE16+DIP-28
4N323000FSC15+DIP-6
2SC39973000SANYO15+TO-3PL
2SC51483000TOSHIBA16+TO-3P
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CY62256NLL-70PXC 256K (carte de carte de circuit imprimé de 32K X 8) MÉMOIRE RAM statique IC IC

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