De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor

Numéro de type:FDS6990A
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:7000PCS
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor

 

Description générale

Ceux-ci des transistors MOSFET de niveau de logique de N-canal sont produits utilisant le processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur de Fairchild qui a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état mais maintenir la représentation supérieure de commutation.

 

Ces dispositifs sont bien adaptés pour la basse tension et les applications piles où la basse perte de puissance intégrée et la commutation rapide sont exigées.

 

Caractéristiques

· 7,5 A, 30 V.RDS(DESSUS) = 18 mW @ VGS = 10 V

                        RDS(DESSUS) = 23 mW @ VGS = 4,5 V

· Vitesse de commutation rapide

· Basse charge de porte

· Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - bas RDS(DESSUS)

· Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle

 

Capacités absolues TA =25℃ sauf indication contraire

SymboleParamètreEstimationsUnités
VSADTension de Drain-source30V
VGSSTension de Porte-source± 20V
ID

Courant de drain – continu (note 1a)

– Pulsé

7,5A
20
PD

Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a)

                                                               (Note 1B)

                                                               (Note 1c)

1,6W
1,0
0,9
TJ, TSTGOpération et température ambiante de jonction de stockage– 55 +150

 

 

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet

 

G5V-1-DC96255OMRON15+IMMERSION
G5V-2-12VDC7727OMRON14+IMMERSION
G60N100BNTD3498FAIRCHILD13+TO-264
G65SC51P-26939CMD16+DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC10509OMRON13+SOP-8
GAL16V8D-25LP5311TRELLIS16+DIP-20
GBL08-E3/5113704VISHAY14+DIP-4
GBPC3508W-E4/518669VISHAY16+DIP-4
GBU40890000SEPT13+ZIP-4
GBU6K14556LRC13+SIP-4
GBU8M17593VISHAY15+DIP-4
GE865-QUAD1285TELIT14+GPRS
GIPS20K602254St13+MODULE
GL34A4000DIOTEC13+DO-213AA
GL41D20000GS13+LL41
GL852G-MNG127574GENESYS15+LQFP-48
GL865 CONJUGUENT1174TELIT10+GPRS
GLL4760-E3/9724000VISHAY10+Na
GP1S094HCZ0F5752POINTU13+DIP-4
GS2978-CNE32125GENNUM15+QFN16
GS2984-INE31336GENNUM13+QFN
GS2988-INE36693GENNUM16+QFN16
GS3137-08-TAZ2008CONEXANT09+TSSOP
GSIB2580-E3/454938VISHAY16+GSIB-5S
GSOT03C-GS087000VISHAY15+SOT-23
GVA-63+8824MINI15+SOT-23
GVA-84+4397MINI14+SOT-89
H11AA1SR2M14966FAIRCHILD14+SOP-6
H11AA415037FAIRCHILD14+IMMERSION
H11AG1SR2M4006FAIRCHILD14+SOP-6

 

 

 

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De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor

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