IRF7311TRPBF IC électronique ébrèche le double transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET HEXFET de la Manche de N

IRF7311

Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®

• Technologie de la génération V
• Sur-résistance très réduite
• Double transistor MOSFET de N-canal
• Bti extérieur
• Entièrement avalanche évaluée

Description

La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le SO-8 a été modifié par un leadframe adapté aux besoins du client pour des caractéristiques augmentées et la capacité thermiques de multiple-matrice lui faisant l'idéal dans un grand choix d'applications de puissance. Avec ces améliorations, des dispositifs multiples peuvent être utilisés dans une application avec l'espace nettement réduit de conseil. Le paquet est conçu pour des techniques de soudure de phase vapeur, infrarouges, ou de vague.

Capacités absolues (T_A = 25°C sauf indication contraire)

Notes :

1. La surface a monté sur 1 dans le panneau carré de Cu

2. Commençant T_J = 25°C, L = 12mH R_G = 25Ω, I_COMME = 4.1A.

ƒ 3. I ≤ 4.1A, ≤ 92A/µs, ≤ V_(BR)SAD, ≤ 150°C_{d'écart-type} de di/dt de_{densité doublede} V de T_J

Offre courante (vente chaude)

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