Transistor de transistor MOSFET de la puissance SGP02N120 S-IGBT rapide en TNP-technologie

Numéro de type:SGP02N120
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8300pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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SGP02N120, SGB02N120, SGD02N120

 

S-IGBT rapide en TNP-technologie

 

 

• 40% E inférieur comparé la génération précédente

• Temps de tenue de court-circuit – 10 µs

• Conçu pour :

  - Contrôles de moteur

  - Inverseur

  - SMPS

• Offres de TNP-technologie :

  - distribution très serrée de paramètre

  - rugosité élevée, comportement d'écurie de la température

  - capacité parallèle de commutation

 

 

Estimations maximum

ParamètreSymboleValeurUnité
Tension de collecteur-émetteurVCE1200V

Courant de collecteur de C.C

TC = 25°C

TC = 100°C

IC

 

6,2

2,8

A
Courant de collecteur pulsé, tp limité par lejmaxde TICpuls9,6A
Arrêtez le ≤ 1200V, le ≤ 150°C de laCE du secteur V d'opération sûre de Tj 9,6A
tension de Porte-émetteurVGE±20V
Énergie d'avalanche, impulsion simple IC = 2A, Vcc = 50V, RGE = 25Ω, début Tj = 25°CEAS10MJ
Temps de tenue de court-circuit1) VGE = 15V, 100Vcc de ≤ 1200V, ≤ 150°C du ≤ V de TjScde t10µs
Dissipation de puissance TC = 25°CDoigtde P62W
Jonction et température de stockage fonctionnantesTj, Tstg-55… +150°C
La température de soudure, 1.6mm (0,063 po.) du point de droit pour 10s 260°C

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
MCIMX535DVV1C1066FREESCALE14+BGA
MCIMX6S7CVM08AC769FREESCALE16+BGA
MCP100T-270I/TT68000PUCE15+SOT23-3
MCP100T-315I/TT57000PUCE16+SOT23-5
MCP100T-450I/TT58000PUCE10+SOT23-3
MCP120T-315I/TT24000PUCE14+SOT-23
MCP1252-33X50I/MS6935PUCE16+MSOP
MCP1525T-I/TT22350PUCE14+SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB11219PUCE16+SOT-89
MCP1700T-1802E/TT17041PUCE06+SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB14911PUCE09+SOT-89
MCP1700T-3302E/TT87000PUCE12+SOT-23
MCP1700T-5002E/TT6249PUCE16+SOT-23
MCP1702T-3302E/MB8308PUCE13+SOT-89
MCP1703T-5002E/DB6320PUCE13+SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB5514PUCE16+SOT-223
MCP1826T-3302E/DC6845PUCE15+SOT223-5
MCP2122-E/SN7708PUCE13+SOP-8
MCP23S17-E/SO8974PUCE15+SOP-28
MCP2551-I/SN7779PUCE16+SOP-8
MCP2551T-E/SN3957PUCE16+SOP-8
MCP3202-CI/SN5841PUCE15+SOP-8
MCP3202-CI/SN5770PUCE15+SOP-8
MCP3208-CI/P8740PUCE15+IMMERSION
MCP3421AOT-E/CH12828PUCE16+SOT23-6
MCP3422AO-E/SN3875PUCE10+SOP-8
MCP3424-E/SL8273PUCE16+SOP-14
MCP3551-E/SN7817PUCE16+SOP-8
MCP41050T-I/SN4450PUCE11+SOP-8
MCP41100-I/SN3572PUCE15+SOP-8
MCP42010-I/P12118PUCE16+DIP-14
MCP4725AOT-E/CH6616PUCE15+SOT23-5
MCP4728AOT-E/UN4184PUCE12+MSOP

 

 

 

 

 

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Transistor de transistor MOSFET de la puissance SGP02N120 S-IGBT rapide en TNP-technologie

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