Transistor MOSFET électrique de puissance de N-canal du transistor IC de transistor MOSFET de la puissance IRFD120

IRFD120

1.3A, 100V, 0,300 ohms, transistor MOSFET de puissance de N-canal

Ce transistor MOSFET avancé de puissance est conçu, examiné, et garanti pour résister un niveau spécifique d'énergie dans le mode de fonctionnement d'avalanche de panne. Ce sont des transistors effet de champ de puissance de porte de silicium de mode d'amélioration de N-canal conçus pour des applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs de commutation, des conducteurs de moteur, des conducteurs de relais, et des conducteurs pour les transistors de commutation bipolaires de puissance élevée exigeant la puissance grande vitesse et basse d'entraînement de porte. Ils peuvent être actionnés directement partir des circuits intégrés.

Type autrefois développemental TA17401.

Caractéristiques

• 1.3A, 100V

• r_DS(DESSUS) = 0.300Ω

• Énergie simple d'avalanche d'impulsion évaluée

• SOA est Power Dissipation Limited

• Vitesses de commutation de nanoseconde

• Caractéristiques de transfert linéaires

• Impédance élevée d'entrée

• Littérature relative

   - TB334 « directives pour les composants extérieurs de soudure de bti aux panneaux de PC »

Capacités absolues T_C = 25℃, sauf indication contraire

PRÉCAUTION : Les efforts au-dessus de ceux énumérés dans « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est un effort évaluant seulement et l'opération du dispositif ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée.

NOTE :

1. T_J = 25℃ 125℃.

3. V_{densité double} = 25V, commençant T_J = 25℃, L = 32mH, R_G = 25Ω, crête I_COMME = 1.3A.

Empaquetage

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