COMMUTATEUR du transistor MOSFET PDP de puissance de commutation de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFP4229PBF

IRFP4229PbF PDP SWITCH

Caractéristiques

• Technologie de processus avancée

• Paramètres clés optimisés pour les applications Sustain, Energy Recovery et Pass Switch de PDP Sustain

• Évaluation minimale de _PULSE pour réduire la dissipation de puissance dans les applications PDP Sustain, Energy Recovery et Pass Switch

• Faible Q _G pour une réponse rapide

• Capacité de courant maximal répétitif élevé pour un fonctionnement fiable

• Temps d'automne et de montée courts pour une commutation rapide

• 175 ° C Température de jonction de fonctionnement pour une robustesse accrue

• Capacité d'avalanche répétitive pour la robustesse et la fiabilité

La description

Ce MOSFET HEXFET® Power est spécialement conçu pour Sustain; Les applications de récupération d'énergie et de passage dans les panneaux d'affichage plasma. Ce MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance la résistance et une faible valeur de E _PULSE . Les caractéristiques supplémentaires de ce MOSFET sont la température de jonction de fonctionnement de 175 ° C et la haute capacité de courant de pointe répétitive. Ces fonctionnalités se combinent pour rendre ce MOSFET un appareil hautement efficace, robuste et fiable pour les applications de conduite PDP.

Évaluation maximale absolue

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