La commande et le moteur de relais de transistor de transistor MOSFET de puissance de convertisseur de DC−DC conduisent les articles électroniques de liste d'application

Numéro de type:2SJ310
Point d'origine:Originale
Quantité d'ordre minimum:50pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Le convertisseur de 2SJ310 DC−DC, la commande de relais et le moteur conduisent les articles électroniques de liste d'applications

 

drain−source du lecteur z de porte du ► 4-V bas SUR la résistance : MΩ 80 du RDS (DESSUS) = (type.)

Accès de transfert en avant élevé de ► : |Yfs| = 8,0 S (type.)

Bas courant de fuite de ► : ΜA IDSS = −100 (maximum) (mode de ►Enhancement de VDS = de −60 V) : Vth = −0.8 −2.0 V (VDS = −10 V, identification = −1 mA)

 

 

 

 

 

 

Capacités absolues (merci = 25°C)

Caractéristiques  Symbole Évaluation Unité
Tension de Drain−source VDSS −60 V
Tension de Drain−gate (RGS = kΩ 20)  VDGR −60 V
Tension de Gate−source VGSS  ±20 V
Vidangez la dissipation de puissance (comité technique = 25°C) Palladium 40 W
Creusez des rigoles la température Tch 150°C
Température ambiante de température de stockage Tstg −55 150 °C

 

 

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d' hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.--d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.--d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus)

 

 

 

 

 

BULLETIN DE LA COTE

SN65HVD11DR3528TI16+SOP-8
SN65HVD1780DR2480TI15+SOP-8
SN65HVD1781DR4634TI15+SOP-8
SN65HVD230DR30292TI14+SOP-8
SN65HVD230QDR2852TI16+SOP-8
SN65HVD232DR11892TI16+SOP-8
SN65HVD232QDRQ117541TI16+SOP-8
SN65HVD234DR2742TI14+SOP-8
SN65HVD485EDR2604TI14+SOP-8
SN65HVD52DR17674TI16+SOP-8
SN65HVD82DR13576TI14+SOP-8
SN74CBT3306DR10544TI04+SOP-8
SN75176ADR21500TI13+SOP-8
SN75451BDR12964TI13+SOP-8
SN75ALS176DR8168TI13+SOP-8
THS3091D1037TI16+SOP-8
THS4001CDR18605TI16+SOP-8
THS4130IDR1280TI13+SOP-8
TL061CDT16700TI13+SOP-8
TL062CDT17420TI16+SOP-8
TL062IDR10292TI15+SOP-8
TL072IDR11624TI14+SOP-8
TL081CDR15350TI15+SOP-8
TL103WAIDR17122TI15+SOP-8
TL2843BD-89040TI16+SOP-8
TL2845BDR-85088TI06+SOP-8
TL3472CDR11732TI13+SOP-8
TL3843DR-823012TI16+SOP-8
TL431ACDR8000TI15+SOP-8
TL431AIDR33000TI16+SOP-8
TL431BCDR8834TI04+SOP-8
TL431CDR14972TI16+SOP-8
TL431CPSR10214TI04+SOP-8
TL5001CDR12898TI16+SOP-8
TL714CDR8114TI08+SOP-8
TL7702AID12876TI10+SOP-8
TL7702AIDR17078TI16+SOP-8
TL7705BCDR12854TI14+SOP-8
TL7726QDRG47882TI16+SOP-8
TL7757CDR10148TI16+SOP-8
TL7757IDR6504TI05+SOP-8
TLC04CDR6590TI16+SOP-8
TLC0832CDR7699TI16+SOP-8
TLC1549CDR2504TI14+SOP-8
TLC2262CDR13864TI10+SOP-8
TLC2262IDR8288TI14+SOP-8
TLC2272ACDR14148TI13+SOP-8
TLC2272AIDR7332TI15+SOP-8
TLC2272CDR13316TI15+SOP-8
TLC2272CP19536TI14+SOP-8

 

 

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La commande et le moteur de relais de transistor de transistor MOSFET de puissance de convertisseur de DC−DC conduisent les articles électroniques de liste d'application

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