74HC165D IC électronique ébrèche à 8 bits parallèle-dans/registre à décalage périodique-

74HC/HCT165

8 bits parallèle-dans/registre décalage périodique-

CARACTÉRISTIQUES

• Charge parallèle 8 bits asynchrone

• Entrée périodique synchrone

• Capacité de sortie : standard

• I catégorie de_cc : MSI

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Les 74HC/HCT165 sont les dispositifs ultra-rapides de la SI-porte CMOS et sont goupille compatible avec la puissance faible Schottky TTL (LSTTL). Ils sont spécifiés conformément la norme non 7A de JEDEC.

Les 74HC/HCT165 sont parallèle-charge 8 bits ou périodique-dans des registres décalage avec les sorties périodiques complémentaires (Q7 et Q7) fournies par la dernière étape. Quand l'entrée parallèle de (PL) de charge est BASSE, des données parallèles du D0 aux entrées D7 sont chargées dans le registre asynchrone.

Quand le PL est HAUT, les données écrivent le registre en série au Ds entré et décalent un endroit vers la droite (Q0 → de → Q1 Q2, etc.) avec chaque transition positif-allante d'horloge. Cette caractéristique permet l'expansion parallèle--périodique de convertisseur en attachant le Q7 produit l'entrée de DS de l'étape de réussite.

L'entrée d'horloge est a déclencher-OU la structure qui permet un entré pour être employé comme BASSE horloge active permettent (CE) d'entrer. La tche de goupille pour les entrées de CP et de CE est arbitraire et peut être renversée pour la commodité de disposition. La transition HAUTEUR basse du CE d'entrée devrait seulement avoir lieu tandis que CP HAUT pour l'opération prévisible. Le CP ou le CE devrait être HAUT avant que la transition HAUTEUR basse du PL pour empêcher décaler les données quand le PL est activé.

APPLICATIONS

• conversion de données Parallèle--périodique

DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE

LA TERRE = 0 V ; _Ambde T = °C 25 ; t_r = t_f = 6 NS

Notes

1. _{Lepalladiumde} C est employé pour déterminer la dissipation de puissance dynamique (P_D dans le µW) :

      P_cc de × f_i du × V_depalladium^de_D = de C² + ∑ (C_Lcc de × f_o de × V²) où :

   f_i = fréquence entrée dans le mégahertz

   f_o = fréquence produite dans le mégahertz

   ∑ (C_Lcc de × f_o de × V²) = somme de sorties

   C_L = capacité produite de charge dans le PF

   V_cc = tension d'alimentation dans V

2. Pour HC la condition est V_I = la terre V_cc

    Pour HCT la condition est V_I = la terre au − 1,5 V de V_cc

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