transistor MOSFET rapide IRFP260NPBF de puissance de commutation de transistor de transistor MOSFET de la puissance 200A

Numéro de type:IRFP260NPBF
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:9200pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Détails du produit

MOSFET de puissance IRFP260NPbF HEXFET®


• Technologie de processus avancée

• Dynamic dv / dt Rating

• 175 ° C Température de fonctionnement

• Commutation rapide

• Entièrement avalanche évalué

• Facilité de mise en parallèle

• Exigences du disque simple

• Sans plomb


La description

Les HEXFET de la Cinquième Génération de International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une surface extrêmement résistante la résistance par silicium. Cet avantage, combiné la vitesse de commutation rapide et la conception de périphériques robustes dont les MOSFET HEXFET Power sont bien connus, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation très variée.


Le package TO-247 est préféré pour les applications industrielles, où les niveaux de puissance plus élevés empêchent l'utilisation de dispositifs TO-220. Le TO-247 est similaire, mais supérieur l'emballage antérieur TO-218 en raison de son trou de montage isolé.



Évaluation maximale absolue

ParamètreMax.Unités
I D @ T C = 25 ° CCourant de vidange continu, V GS @ 10V50UNE
I D @ T C = 100 ° CCourant de vidange continu, V GS @ 10V35UNE
I DMCourant de vidange pulsé200UNE
P D @T C = 25 ° CDissipation de puissance300UNE
Facteur de dénaturé linéaire2.0TOILETTES
V GSTension de la porte la source± 20V
E ASSingle Pulse Avalanche Energy560MJ
I ARCourant d'avalanche50UNE
E ARÉnergie d'avalanche répétitive30MJ
Dv / dtPeak Diode Recovery dv / dtdixV / ns
T J, T STGGamme de fonctionnement de la jonction et du stockage-55 +175° C
Température de soudure, pendant 10 secondes300 (1,6 mm du boîtier)° C
Couple de montage, 6-32 ou M3 srew10 lbfïin (1,1Nïm)

Offre d'actions (vente chaud)

Numéro de pièceQuantitéMarqueD / CPaquet
LM2662MX5344TI16+SOP-8
LM2663M6856NS16+SOP-8
LM2675MX-5.05274TI16+SOP-8
LM2675MX-ADJ5415TI15+SOP-8
LM2734YMK12799TI16+SOT23-6
LM2767M5X6927NSC16+SOT23-5
LM2825N-ADJ1525NSC06+DIP-24
LM2842YMK-ADJL4655TI16+SOT23-6
LM285MX-1.25929NS16+SOP-8
LM2901DR2G104000SUR13+AMADOUER
LM2902DR2G77000SUR15+AMADOUER
LM2903DR2G107000SUR15+AMADOUER
LM2903IMX13191FSC11+SOP-8
LM2904DR2G82000SUR16+SOP-8
LM2904MX11700NS15+SOP-8
LM2904P20000TI16+TSSOP-8
LM2904QPWRQ16065TI14+TSSOP-8
LM2907N-88781NS97+DIP-8
LM2917N-86580NS13+DIP-8
LM2931AD-5.0R2G19723SUR16+SOP-8
LM2931CDR2G14829SUR16+SOP-8
LM2931CDR2G10000SUR15+SOP-8
LM2936MPX-3.39351TI14+SOT-223
LM2936Z-5.03406NS05+TO-92
LM2937ESX-3.39135NSC07+TO-263
LM2937IMPX-3.31862TI16+SOT-223
LM2940CSX-5.08095NS14+TO-263
LM2940S-5.010367NS16+TO-263
LM2940SX-5.08852NS15+TO-263
LM2941CT5900NS00+TO-220

Mots clés du produit:
China transistor MOSFET rapide IRFP260NPBF de puissance de commutation de transistor de transistor MOSFET de la puissance 200A supplier

transistor MOSFET rapide IRFP260NPBF de puissance de commutation de transistor de transistor MOSFET de la puissance 200A

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