CA3046E IC électronique ébrèche des rangées d'usage universel de transistor de NPN

CA3045, CA3046

Rangées d'usage universel de transistor de NPN

Les CA3045 et les CA3046 chacun se composent de cinq transistors d'usage universel du silicium NPN sur un substrat monolithique commun. Deux des transistors sont intérieurement reliés pour former une paire différentiel reliée.

Les transistors du CA3045 et du CA3046 sont bien adaptés une grande variété d'applications dans des systèmes de puissance faible dans le C.C par la gamme de VHF. Ils peuvent être employés en tant que transistors discrets dans des circuits conventionnels. Cependant, en outre, ils fournissent les avantages inhérents très significatifs de circuit intégré de l'assortiment électrique et thermique étroit.

Caractéristiques

• Deux transistors assortis

  - V_SOIT le match………………………… ±5mV

  - Match_d'I_E/S. ……………………… 2µA (maximum)

• Figure faible bruit……………. 3.2dB (type) 1kHz

• 5 transistors monolithiques d'usage universel

• Opération de C.C 120MHz

• Grand choix de courant d'opération

• Pleine température ambiante militaire

Applications

• Trois transistors d'isolement et une paire différentiel reliée de transistor pour la puissance faible

   Applications aux fréquences du C.C par la gamme de VHF

• Amplificateurs différentiels faits sur commande

• Amplificateurs température compensée

• Voir la note d'application, AN5296 « application de la rangée de transistor du circuit intégré CA3018 »

  pour des applications suggérées

Pinout

Capacités absolues

Tension de Collecteur--émetteur (_Présidentde V)………………… 15V

Tension de Collecteur--base (V_CBO)…………………. 20V

Tension de Collecteur--substrat (V_CIO, notent 1)…………. 20V

Tension d'Émetteur--base (V_EBO)……………………. 5V

Courant de collecteur (I_C)…………………………. 50mA

NOTES : 1. Le collecteur de chaque transistor du CA3045 et du CA3046 est isolé dans le substrat par une diode intégrale. Le substrat (terminal 13) doit être relié au point le plus négatif dans le circuit externe pour maintenir l'isolement entre les transistors et pour prévoir l'action normale de transistor.

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