Transistor à effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor de transistor MOSFET de la puissance AO4620

Numéro de type:AO4620
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8000pcs
Délai de livraison:jour 1
Contacter

Add to Cart

Membre du site
Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

 

Transistor effet de champ complémentaire de mode de l'amélioration AO4620

 

Description générale

Les utilisations AO4620 avancées trench des transistors MOSFET de technologie pour fournir excellent RDS(DESSUS) et basse charge de porte. Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés dans l'inverseur et d'autres applications. Le produit standard AO4620 est sans Pb (rencontre ROHS et Sony 259 caractéristiques).

 

Caractéristiques

   p-canal de n-canal

VDS (v) = 30V -30V

ID = 7.2A (VGS =10V) -5.3A (VGS = -10V)

RDS(DESSUS) RDS(DESSUS)

< 24m="">GS=10V)< 38m=""> GS = -10V)

< 36m="">GS=4.5V) < 60m="">GS = -4.5V)

 

 

Capacités absolues TA =25°C sauf indication contraire

ParamètreSymboleN-canal maximumP-canal maximumUnités
Tension de Drain-sourceVDS30-30V
Tension de Porte-sourceVGS±20±20V
Drain continu F actuelTA =25°CID7,2-5,3A
TA =70°C6,2-4,5A
Drain pulsé B actuelIDM30-30A
Dissipation de puissance FTA =25°CPD22W
TA =70°C1,441,44W
Avalanche B actuelIL'AR1317A
Énergie répétitive 0.3mH B d'avalancheEAR2543MJ
Température ambiante de jonction et de température de stockageTJ, TSTG-55 150-55 150°C

B : Estimation répétitive, durée d'impulsion limitée par la température de jonction.

La dissipation de puissance de F.The et l'estimation actuelle sont basées sur l'estimation de résistance thermique du ≤ 10s de t.

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
AD9254BCPZ-1501500ANNONCE16+QFN
ADE-10H1500MINI16+SOP6
CNY74-41500FSC13+DIP16
CY2305SXC-1HT1500CYPRESS15+SOP8
IRFP23N50L1500IR16+TO-3P
L78241500St16+TO-220
LFCN-530+1500MINI-CIRC14+SMD
LNK304PN1500PUISSANCE14+DIP-7
LPS6235-104MLC1500COILCRAFT14+SMD
LT1248CN1500LT16+IMMERSION
MB15E07SLPFV11500FUJITSU16+TSSOP
SN74HC165DR1500TI13+CONCESSION
V30200C-E3/4W1500VISHAY15+TO-220
PC7331501POINTU16+IMMERSION
HCPL-0466-500E1517AVAGO16+SOP-8
BDW471520SUR14+TO-220
STF13NK50Z1520St14+TO-220
M51995AP1522MIT14+IMMERSION
XC3S1600E-4FGG320C522XILINX16+BGA
RC4558P1528TI16+DIP8
ADA4528-2ARM1550L'ADI13+MSOP8
PIC16F648A-I/P1555PUCE15+IMMERSION
TLP25311558TOSHIBA16+SOP8
IRFP150N1577IR16+TO-247
IR2520DPBF1580IR14+DIP-8
EP3C10F256C8N1588ALTERA14+BGA
IRFPC601588IR14+TO-247
LM2917N-81588NS16+DIP8
TDA7851L1633St16+ZIP25
NCP1203D60R21665SUR13+SOP-8

 

 

 

 

China Transistor à effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor de transistor MOSFET de la puissance AO4620 supplier

Transistor à effet de champ complémentaire de mode d'amélioration de transistor de transistor MOSFET de la puissance AO4620

Inquiry Cart 0