Transistor MOSFET IC de puissance de transistor MOSFET de P-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFP9240PBF

IRFP9240, SiHFP9240

Transistor MOSFET de puissance

CARACTÉRISTIQUES                                               

• Estimation dynamique de dV/dt

• Avalanche répétitive évaluée

• P-canal

• Trou de montage central d'isolement

• Commutation rapide

• Facilité de la parallélisation

• Conditions simples d'entraînement

• Menez (Pb) disponible sans

RÉSUMÉ DE PRODUIT

DESCRIPTION

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay fournissent au concepteur la meilleure combinaison de la commutation rapide, de la conception robuste de dispositif, de la basse sur-résistance et de la rentabilité.

Le paquet TO-247 est préféré pour des applications commercial-industrielles où les niveaux de puissance plus élevée excluent l'utilisation des dispositifs TO-220. Le TO-247 est semblable mais supérieur au paquet TO-218 premier en raison de son trou de montage d'isolement. Il fournit également une plus grande ligne de fuite entre les goupilles pour répondre aux exigences de la plupart des caractéristiques de sécurité.

CAPACITÉS ABSOLUES T_C = °C 25, sauf indication contraire

Notes

a. Estimation répétitive ; durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum (voir la fig. 11).

b. V_{densité double} = - 50 V, commençant T_J = 25 °C, L = 8,2 MH, R_G = 25 Ω, I_COMME = - 12 A (voir la fig. 12).

c. I ≤ d'_écart-type - 12 A, ≤ 150 A/µs, ≤ V_DS, ≤ 150 °C. de dI/dt_{dedensité double} de V de T_J.

d. 1,6 millimètres de cas.

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