Transistor MOSFET de N-canal de module de diode de thyristor de module d'alimentation du transistor MOSFET IXFN38N100Q2

Numéro de type:IXFN38N100Q2
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:6000pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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IXFN38N100Q2

HiPerFETTM actionnent le transistor MOSFET

 

L'avalanche de mode d'amélioration de N-canal a évalué, bas Qg, la basse qualité intrinsèque Rg haut dV/dt, bas trr

 

VSAD = 1000 V

ID25 = 38 A

RDS(dessus) = 0,25 Ω

≤ 300 NS de trr

 

           

 

Caractéristiques

• Double processus en métal pour la basse résistance de porte

• miniBLOC, avec l'isolement de nitrure en aluminium

• (UIS) de changement inductif Unclamped a évalué

• Basse inductance de paquet

• Redresseur intrinsèque rapide

 

Applications

• Convertisseurs de DC-DC

• alimentations de Commuter-mode et d'énergie de résonnant-mode

• Couperets de C.C

• Générateurs d'impulsion

 

Avantages

• Facile monter

• L'épargne d'espace

• Densité de puissance élevée

 

Estimations maximum

SymboleConditions d'essaiMAXIMUM.UNITÉ
VSADTJ = 25°C 150°C1000V
VDGRTJ = 25°C 150°C ; RGS = 1 MΩ1000V
VGSContinu±30V
VGSMPassager±40V
ID25TC = 25°C38A
IDMTC = 25°C, durée d'impulsion limitée par TJM152A
IL'ARTC = 25°C38A
EARTC = 25°C60MJ
EASTC = 25°C5,0J
dv/dt

I ≤ IDM, ≤ 100 A/µs, ≤ VSADdeS de di/dt dedensité doublede V

≤ 150°C, R de TJG = Ω 2

20V/ns
PDTC = 25°C890W
TJ -55… +150°C
TJM 150°C
Stgde T -55… +150°C
VISOLANT50/60 hertz, RMS, t = 1 minute2500V
Md

Couple de support

Couple de connexion terminale

1.5/13

1.5/13

Nm/lb.in.

Nm/lb.in.

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
SN74HC00DR4211TI15+SOP14
NDS9956A4215FAIRCHILD16+SOP8
MC33202DR2G4227SUR16+SOP8
ICE2B2654250 14+DIP-8
SS32-E3/57T4250VISHAY14+DO214
SI38674258VISHAY14+SOT-163
APM49534275APM16+SOP8
LM1117MPX-5.04288NS16+SOT223
3224W-1-103E4300BOURNS13+SMD
TNY276GN4300PUISSANCE15+SOP-7
MIC5235-1.8YM54300MICREL16+SOT23-5
HCF4052BEY4399St16+IMMERSION
M82C51A-24400OKI14+IMMERSION
MUR1620CTRG4400SUR14+TO-220
IRF73294412IR14+SOP-8
HSMP-38164433AVAGO16+SOT153
SMDJ54CA4440LITTELFUS16+SMD
GP1A51HR4444POINTU13+DIP-4
P2804BDG4444NIKO15+TO252
AP9962GH4450AP16+TO-252
AD1955ARSZ4457ANNONCE16+SSOP-28
AMS1083CT-3.34470L'AMS14+TO-220
1N4747A4500St14+DO-41
FDB8447L4500FSC14+TO-263
INA118P4500TI16+DIP-8
IRFR9024NTRPBF4500IR16+TO-252
NL17SZ064500SUR13+SOT553
Q6040K74500LITTELFUS15+TO-3P
STM83244500SAMHOP16+SOP8
TDA20504500St16+FERMETURE ÉCLAIR

 

 

 

 

China Transistor MOSFET de N-canal de module de diode de thyristor de module d'alimentation du transistor MOSFET IXFN38N100Q2 supplier

Transistor MOSFET de N-canal de module de diode de thyristor de module d'alimentation du transistor MOSFET IXFN38N100Q2

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