Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor de transistor MOSFET de puissance d'effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFET

Numéro de type:TPC8111
Point d'origine:Taiwan
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:580pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFET

Applications de batterie d'ion de lithium

Applications de PC de carnet

Applications portatives d'équipement

 

 

 

• Petite empreinte de pas due au petit et mince paquet

• Basse drain-source SUR la résistance : MΩ 8,1 du RDS (DESSUS) = (type.)

• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 23 S (type.)

• Bas courant de fuite : ΜA IDSS = −10 (maximum) (VDS = −30 V)

• Amélioration-mode : Vth = −0.8 −2.0 V (VDS = −10 V, identification = −1 mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note : Pour (note 1), (note 2), (note 3) et (la note 4), se rapportent svp la prochaine page. Ce transistor est un dispositif sensible électrostatique. Manipulez svp avec prudence

 

 

 

 

Estimations maximum (merci = 25°C)

Caractéristiques SymboleÉvaluation Unité
tension de Drain-source VDSS −30V
tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) VDGR −30V
tension de Porte-source VGSS ±20 V
Vidangez la dissipation de puissance (t = 10 s)Palladium 1,9 W
Vidangez la dissipation de puissance (t = 10 s)Palladium 1,0  W
Choisissez l'énergie d'avalanche d'impulsionEAS 31,5 MJ
Courant d'avalanche IAR −11A
Énergie répétitive d'avalancheOREILLE0,19MJ
La température de la Manche Tch 150°C

 

 

 

 

BULLETIN DE LA COTE 

HMHAA280R11520FAIRCHILD16+SOP-4
LQH55PN100MROL6782MURATA16+SMD
MSS1260-683MLD6890COILCRAFT16+SMD
TSL1112RA-102JR50-PF10000TDK14+IMMERSION
MJE340G10000SUR16+TO-126
BD139-165500St16+TO-126
BD140-165500St15+TO-126
2SC26253000FUJI15+TO-3P
TR600-15038000TYCO16+IMMERSION
A1324LUA-T3420ALLÉGRO15+SIP-3
LVR040K38000RAYCHEM/T16+IMMERSION
LVR025S38000RAYCHEM/T16+IMMERSION
MF-R01038000BOURNS16+IMMERSION
MF-R01725000BOURNS16+IMMERSION
BFR96TS5000VISHAY15+TO-50
M28S20000UTC10+TO-92
MF-R04040000BOURNS14+IMMERSION
LVR040S38000RAYCHEM/T16+IMMERSION
LVR075S5063RAYCHEM/T16+IMMERSION
MF-R60010000BOURNS16+IMMERSION
MF-R09038000BOURNS16+IMMERSION
PKM13EPYH4000-AO5000NURATA10+IMMERSION
DE1E3KX102MJ5BA01900MURATA15+IMMERSION
LVR01238000TYCO16+IMMERSION
CS10243750ZX15+TO-92S
20D151K3000ZOV16+IMMERSION
LPD6803S30000LPD15+SOP-16
MICROSMD005F-225000TYCO16+SMD
BLM21BD601SN1D8000MURATA15+SMD
BLM21AG01SN1D8000MURATA15+SMD
AT24C02D-SSHM-T4000ATMEL15+SOP-8
VESD05A1B-02Z-GS0840000VISHAY15+SOD-923
AT24C02BN-SH-T4000ATMEL15+SOP-8
MICROSMD050F-225000TYCO16+SMD
NDT295516800FAIRCHILD14+SOT-223
AY1112H-TR8000STANLEY09+SMD
NFM3DCC223R1H3L938000MURATA16+SMD
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Type transistor MOSFET de MOS de la Manche du silicium P de transistor de transistor MOSFET de puissance d'effet de champ TPC8111 de puissance de HEXFET

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