Ω du N-CANAL 600V 0,19 du transistor STW21NM60N de transistor MOSFET de puissance de DEUXIÈME GÉNÉRATION - 17 A

Numéro de type:STW21NM60N
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:union occidentale, T/T, Moneygram
Capacité d'approvisionnement:5000pcs
Détails d'emballage:veuillez me contacter pour des détails
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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Ω du N-CANAL 600V 0,19 de STW21NM60N - 17 UN transistor MOSFET de DEUXIÈME GÉNÉRATION

 

Caractéristiques générales

 

 

AVALANCHE 100% DE ■ EXAMINÉE

BASSES CAPACITÉ D'ENTRÉE DE ■ ET CHARGE DE PORTE

BASSE RÉSISTANCE D'ENTRÉE DE PORTE DE ■

 

 

DESCRIPTION

 

Le STx21NM60N est réalisé avec la deuxième génération. Ce transistor MOSFET révolutionnaire associe une nouvelle structure verticale la disposition de la bande de la société pour rapporter un de la plus basse charge de la sur-résistance et de la porte du monde. Il est donc approprié aux convertisseurs les plus exigeants de rendement élevé

 

 

APPLICATIONS  

 

Il est très approprié la densité de puissance croissante des convertisseurs haute tension permettant la miniaturisation de système et les rendements plus élevés.

 

 

 

 

 

Tableau 2 : Codes d'ordre

 

TYPE DE VENTESREPÉRAGEPAQUETEMPAQUETAGE
STB21NM60NB21NM60ND2PAK BANDE ET BOBINE
STB21NM60N-1B21NM60NI 2PAKTUBE
STF21NM60NF21NM60NTO-220FPTUBE
STP21NM60NP21NM60NTO-220TUBE
STW21NM60NW21NM60NTO-247TUBE

 

 

 

Tableau 3 : Capacités absolues

 

SymboleParamètreValeurUnité
  TO-220/D2PAK/I 2PAK/TO-247TO-220FP 
 
VDStension de Drain-source (VGS = 0)                         600 V
VDGRtension de Drain-porte (RGS = kΩ 20)                         600 V
VGSTension de source de porte                         ±25 V
IdentificationVidangez le courant (continu) comité technique = 25°C1717 (*)  A
IdentificationVidangez le courant (continu) comité technique = 100°C1010 (*)A
IDM ()Vidangez le courant (pulsé)6464 (*)A
PTOTSe montent la dissipation comité technique = 25°C14030W
 Sous-sollicitation du facteur1,120,23W/°C
dv/dt (1)Pente maximale de tension de récupération de diode                            15V/ns
VisoTension de Winthstand d'isolation (C.C)                          -----  2500 V
TstgTempérature de stockage                – 55 150 150 °C
TjLa température de jonction de Max. Operating

() Durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre

(*) limité seulement par la température maximale laissée

(1) ≤ 16 A, ≤ 400 A/µs, VDD=80% V (BR) SAD d'ISD de di/dt

 

 

Tableau 4 : Données thermiques

 

  TO-220/² PAK/TO-247 DE PAK ² DE D/ITO-220FP 
Rthj-casJonction-cas de résistance thermique maximum0,894,21°C/W
Rthj-ambMaximum Jonction-ambiant de résistance thermique                  62,5 °C/W
TlLa température maximum d'avance pour le but de soudure                   300°C

 

 

 

Tableau 5 : Caractéristiques d'avalanche

 

SymboleParamètreValeur maximumUnité
IASAvalanche actuelle, répétitive ou Non-répétitive (durée d'impulsion limitée par Tj maximum)    8,5 A
EASÉnergie simple d'avalanche d'impulsion (commençant Tj = °C 25, identification = IAS, VDD = 50 V)   610MJ

 

 

 

 

 

 

 


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Numéro de la pièce QuantitéD/CPaquet
LTC1559CS-5#TRPBF1250017+SOIC
LTC1560-1IS8#PBF1250017+SOIC
LTC1562ACG#PBF1250017+SSOP
LTC1562ACG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1562AIG#PBF1250017+SSOP
LTC1562AIG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1562CG#PBF1250017+SSOP
LTC1562CG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1562CN#PBF1250017+PDIP
LTC1562IG#PBF1250017+SSOP
LTC1569CS8-7#PBF1250017+SOIC
LTC1574CS#PBF1250017+SOIC
LTC1574CS#TRPBF1250017+SOIC
LTC1574CS-3.3#PBF1250017+SOIC
LTC1574CS-3.3#TRPBF1250017+SOIC
LTC1574CS-5#PBF1250017+SOIC
LTC1574CS-5#TRPBF1250017+SOIC
LTC1588CG#PBF1250017+SSOP
LTC1588CG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1588IG#PBF1250017+SSOP
LTC1588IG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1589CG#PBF1250017+SSOP
LTC1589CG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1589IG#PBF1250017+SSOP
LTC1589IG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1605-1IG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1605-1IN#PBF1250017+PDIP
LTC1605-2IN#PBF1250017+PDIP
LTC1605ACG#PBF1250017+SSOP
LTC1605IG#PBF1250017+SSOP
LTC1606ACSW#TRPBF1250017+SOIC
LTC1606IG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1608IG#PBF1250017+SSOP
LTC1608IG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1609ACSW#PBF1250017+SOIC
LTC1623CS8#PBF1250017+SOIC
LTC1623CS8#TRPBF1250017+SOIC
LTC1623IS8#PBF1250017+SOIC
LTC1623IS8#TRPBF1250017+SOIC
LTC1624CS8#TRPBF1250017+SOIC
LTC1628IG#PBF1250017+SSOP
LTC1628IG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1628IUH#PBF1250017+QFN
LTC1629CG-PG#PBF1250017+SSOP
LTC1629IG-PG#TRPBF1250017+SSOP
LTC1643AHIGN#PBF1250017+SSOP
LTC1643AHIGN#TRPBF1250017+SSOP
LTC1643AL-1CGN#TRPBF1250017+SSOP
LTC1643ALCGN#PBF1250017+SSOP
LTC1644IGN#PBF1250017+SSOP
LTC1645CS8#TRPBF250017+SO-8
LTC1646CGN#PBF1250017+SSOP
LTC1646CGN#TRPBF1250017+SSOP
LTC1647-1IS8#PBF1250017+SOIC
LTC1647-2CS8#PBF368017+SOP-8
LTC1647-2IS8#PBF1250017+SOIC
LTC1647-3IGN#TRPBF1250017+SSOP
LTC1650ACS#PBF1250017+SOIC
LTC1650ACS#TRPBF1250017+SOIC
LTC1650CN#PBF1250017+PDIP
LTC1655IS8#TRPBF1250017+SOIC
LTC1657IGN#PBF1250017+SSOP
LTC1657LCGN#TRPBF1250017+SSOP
LTC1657LIGN#TRPBF1250017+SSOP

 

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Ω du N-CANAL 600V 0,19 du transistor STW21NM60N de transistor MOSFET de puissance de DEUXIÈME GÉNÉRATION - 17 A

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