LMC662CM IC programmable ébrèche le double amplificateur opérationnel de CMOS

Double amplificateur opérationnel de LMC662 CMOS

Description générale

Le double amplificateur opérationnel de LMC662 CMOS est idéal pour l'opération d'un approvisionnement simple. Il fonctionne partir de +5V +15V et d'oscillation de sortie de rail--rail de caractéristiques en plus d'une gamme de commun-mode d'entrée qui inclut la terre. Les limitations de représentation qui ont infesté des amplificateurs de CMOS dans le passé ne sont pas un problème avec cette conception. Entrez VOS, dérive, et le gain bande large de bruit aussi bien que de tension dans les charges réalistes (kΩ 2 et 600Ω) sont tout égal ou équivalents bipolaires meilleur que largement admis.

Cette puce est construite avec processus avancé de la Silicium-porte CMOS du ressortissant le Double-poly. Voyez la fiche technique LMC660 pour un amplificateur opérationnel du quadruple CMOS avec ces mêmes configurations.

Caractéristiques

• oscillation de sortie de Rail--rail
• Spécifique pour 2 kΩ et charges 600Ω
• Gain haute tension : DB 126
• Tension excentrée de basse entrée : 3 système mv
• Basse dérive de tension de compensation : 1,3 ΜV/˚C

• Courant très réduit de polarisation d'entrée : 2 fa
• La gamme de commun-mode d'entrée inclut le ^{− de} V
• Plage de fonctionnement de +5V l'approvisionnement de +15V
• ISS = 400 µA/amplifier ; indépendant de V+

• Basse déformation : 0,01% 10 kilohertz
• Taux de groupe : 1,1 V/µs
• Disponible dans la température ambiante prolongée (−40˚C +125˚C) ; idéal pour des applications des véhicules moteur
• Disponible selon des spécifications militaires standard de dessin

Applications

• Tampon ou préamplificateur grande impédance
• Convertisseur d'actuel--tension de précision
• Intégrateur long terme
• Circuit d'échantillonnage et de stockage
• Détecteur maximal
• Instrumentation médicale
• Contrôles industriels
• Capteurs des véhicules moteur

Capacités absolues (note 3)

Si les militaires/espace spécifiaient des dispositifs sont exigés, entrent en contact avec svp les distributeurs nationaux de bureau de vente de semi-conducteur pour la disponibilité et les caractéristiques.

Tension de tension différentielle l'entrée ±Supply

Tension d'alimentation (^{− de} V ⁺ de − V) 16V

Court-circuit de sortie V ⁺ (note 12)

Court-circuit de sortie au ^{− de} V (note 1)

La température d'avance (soudure, sec 10.) 260˚C

Temp de stockage. Gamme −65˚C +150˚C

La tension l'entrée-sortie goupille (V ⁺) +0.3V, (^{− de} V) −0.3V

Courant Pin ±18 mA de sortie

Courant Pin ±5 mA d'entrée

Courant la borne d'alimentation d'énergie 35 mA

Dissipation de puissance (note 2)

La température de jonction 150˚C

Tolérance d'ESD (note 8) 1000V

Estimations fonctionnantes (note 3)

Température ambiante

  LMC662AMJ/883, ≤ +125˚C du ≤ TJ de LMC662AMD −55˚C

  ≤ +85˚C du ≤ TJ de LMC662AI −40˚C

  ≤ +70˚C du ≤ TJ de LMC662C 0˚C

  ≤ +125˚C du ≤ TJ de LMC662E −40˚C

Chaîne 4.75V de tension d'alimentation 15.5V

Dissipation de puissance (note 10)

Résistance thermique (θJA) (note 11)

  8-Pin IMMERSION en céramique 100˚C/W

  IMMERSION moulée par 8-Pin 101˚C/W

  8-Pin AINSI 165˚C/W

  8-Pin IMMERSION en céramique soudée latérale 100˚C/W

Note 1 : S'applique au simple-approvisionnement et l'opération de fente-approvisionnement. L'opération continue de court-circuit la température ambiante élevée et/ou les shorts op multiples d'ampère peuvent avoir en dépassant la température de jonction laissée par maximum des courants de sortie 150˚C. au-dessus de ±30 mA au-dessus du long terme peuvent compromettre la fiabilité.

Note 2 : La dissipation de puissance maximum est une fonction de TJ (maximum), de θJA, et MERCI. La dissipation de puissance maximale permise n'importe quelle température ambiante est palladium = (TJ (maximum) – MERCI)/θJA.

Note 3 : Les capacités absolues indiquent les limites au del dont les dommages au dispositif peuvent se produire. Les estimations de fonctionnement indiquent les conditions pour lesquelles le dispositif est prévu pour être fonctionnel, mais ne garantissent pas des limites de représentation spécifique. Avec des caractéristiques et des conditions d'essai garanties, voyez les caractéristiques électriques. Les caractéristiques garanties s'appliquent seulement pour les conditions d'essai énumérées.

Note 4 : Les valeurs typiques représentent la norme paramétrique le plus susceptible. Des limites sont garanties par l'essai ou la corrélation.

Note 5 : V+ = 15V, vcm = 7.5V et RL se sont reliés 7.5V. Pour l'approvisionnement examine, le ≤ 11.5V de Vo du ≤ 7.5V. Pour les essais de descente, ≤ 7.5V de Vo du ≤ 2.5V.

Note 6 : V+ = 15V. Relié comme disciple de tension l'entrée d'étape 10V. Le nombre spécifique est le plus lent des taux de groupe positifs et négatifs.

Note 7 : Entrée référée. V+ = 15V et RL = kΩ 10 relié V+/2. Chaque ampère excité consécutivement avec 1 kilohertz pour produire Vo = 13 VPP.

Note 8 : Modèle de corps humain, kΩ 1,5 en série avec 100 PF.

Note 9 : Des militaires ROUISSENT des spécifications d'essai électriques sont disponibles sur demande. l'heure de l'impression, le LMC662AMJ/883 ROUIT Spéc. s'est conformé entièrement aux limites en caractères gras dans cette colonne. Le LMC662AMJ/883 peut également être obtenu selon des spécifications militaires standard de dessin.

Note 10 : Pour fonctionner aux températures élevées que le dispositif doit être sous-sollicité a basé sur le θJA de résistance thermique avec palladium = (TJ-TA)/θJA.

Note 11 : Tous les nombres s'appliquent pour des paquets soudés directement dans une carte de circuit imprimé.

Note 12 : Ne reliez pas la sortie V+ quand V+ est plus grand que 13V ou la fiabilité peut être compromise

Diagramme de connexion

Offre courante (vente chaude)

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