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MAILLE très rapide IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4

MAILLE très rapide IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4

Numéro de type:STGB7NC60HDT4
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:7800pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Salle 36B1-B2, C de construction, la Science de l'électronique et Mi-route de Shennan de bâtiment de technologie, Shenzhen Chine
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Réf.QuantitéMarqueD / CPaquet
DS1245Y-1001002DALLAS15+TO-92
DS1990A-F51002MAXIME16+POUVEZ
ICL7135CPIZ1002INTERSIL16+TREMPER
IRFP150NPBF5000IR14+TO-247
IRFP260NPBF5000IR14+TO-247
K847P1002VISHAY14+DIP16
LM301AN1002NS16+DIP8
LM35DT1002NS16+TO-220
MC34074AP1002SUR13+DIP14
TC962CPA1002PUCE ÉLECTRONIQUE15+DIP8
VB125ASP1002STM16+SOP-10
LT1084CT-121005LT16+TO220
XC2C64A-7VQG44C1005XILINX14+QFP44
30344560BOSCH14+QFP
AT93C66A-10SQ-2.71008ATMEL14+SOP8
NCP1200AP401008SUR16+DIP8
PCA82C250T / N4,1183000NXP16+SOP8
ADM5120PX-AB-T-21009INFINEON13+QFP208
TDA8950J1011NXP15+ZIP23
HT89501012HOLTEK16+TREMPER
TDA73841012ST16+ZIP *: FRANÇAIS
CS5550-ISZ1022CIRRUS14+SSOP24
LF412CN1022NS14+DIP8
IR21141SSPBF1031IR14+SSOP24
XCF04SVOG20C1034XILINX16+AMADOUER
MC34084P1050SUR16+DIP-14
DAC1220E1077TI13+SSOP16
AT91SAM7X256-AU1088ATMEL15+QFP
74LVX4245MTCX1100FSC16+TSSOP
ADM2582EBRWZ1100UN D16+SOP-20

STGP7NC60HD

STGF7NC60HD - STGB7NC60HD


N-CANAL 14A - 600V - TO-220 / TO-220FP / D²PAK

Très rapide PowerMESH ™ IGBT


■ TENSION INFÉRIEURE LA TENSION (V cesat )

■ LES PERTES D'ARRÊT INCLUENT LE COURANT DE COL

■ LES PERTES INCLUENT L'ÉNERGIE DE RÉCUPÉRATION DE DIODES

■ RÉSULTAT DE C RES / C IES INFÉRIEUR

■ FONCTIONNEMENT HAUTE FRÉQUENCE DE 70 KHz

■ DIODE ANTI PARALLÈLE TRÈS SOUPLE ULTRA RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT

■ PRODUITS DE NOUVELLE GÉNÉRATION AVEC DISTRIBUTION DE PARAMÈTRES TIGHTER


LA DESCRIPTION

Utilisant la dernière technologie de haute tension basée sur une disposition brevetée de bande, STMicroelectronics a conçu une famille avancée d'IGBTs, les IGBTs de PowerMESH ™, avec des performances exceptionnelles. Le suffixe «H» identifie une famille optimisée pour les applications hautes fréquences afin d'obtenir des performances de commutation très élevées (diminution de la chute) et de maintenir une faible chute de tension.


APPLICATIONS

■ INVERSEURS HAUTE FRÉQUENCE

■ SMPS ET PFC DANS LE COMMUTATEUR DUR ET LES TOPOLOGIES RÉSONANTES

■ MOTEURS


Capacité maximale absolue

symboleParamètreValeurUnité

STGP7NC60HD

STGB7NC60HD

STGF7NC60HD
V CESTension collecteur-émetteur (V GS = 0)600V
V ECRTension de l'émetteur-collecteur20V
V GETension de la porte-émetteur± 20V
I CCourant du collecteur (continu) T C = 25 ° C (#)25dixUNE
I CCourant du collecteur (continu) T C = 100 ° C (#)146UNE
I CM (1)Courant de collecteur (pulsé)50UNE
I FDiode RMS Courant direct T C = 25 ° C20UNE
P TOTDissipation totale T C = 25 ° C8025W
Facteur de déclassement0,640,20TOILETTES
V ISO

Tension de tenue d'isolement AC

(T = 1 sec Tc = 25 ° C)

-2500V
TstgTempérature de stockage- 55 150° C
TjTempérature de jonction de fonctionnement

(1) Largeur d'impulsion limitée par max. température de jonction.


Figure 1: Emballage


Figure 2: Diagramme schématique interne


Mots clés du produit:
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MAILLE très rapide IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4

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