Transistor MOSFET ultra-rapide de puissance de commutation de transistor de transistor MOSFET de puissance de FS3KM

Numéro de type:FS3KM
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5800pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
ICM7211AMIQH2177MAXIME15+PLCC44
ICM7218BIJI2128INTERSIL16+DIP-28
ICM7555ISA+T7263MAXIME16+CONCESSION
ICS501M13486ICS13+SOP-8
ICS542MILF2436IDT06+SOP-8
IDG-20202483INVENSENS13+QFN
IDT7132SA100P8650IDT16+IMMERSION
IDT71V124SA10PHG2079IDT14+TSOP-32
IDT7201LA50J4619IDT00+PLCC
IDT74ALVC164245PAG6881IDT15+TSSOP
IKW40T1207085INFINEON16+TO-247
IKW50N60T4078INFINEON14+TO-247
IKW75N60T3696INFINEON13+TO-247
IL4203961VISHAY13+DIP-6
ILQ621GB2307VISHAY13+DIP-16
ILQ746004VISHAY16+DIP-16
IM03GR16005TYCO16+SMD
INA101AG364TI12+DIP-14
INA110SG1498TI12+CDIP-16
INA118UB2360TI15+SOIC-8
INA121U/2K5G42330TI15+SOP-8
INA122U3809TI14+SOP-8
INA122UA4600TI15+CONCESSION
INA132UA/2K55750TI14+SOP-8
INA138NA7872TI16+SOT23-5
INA155UA/2K56852TI15+SOP-8
INA168NA/3K4279TI16+SOT23-5
INA2128U/1K2281TI14+SOP-16
INA331IDGKR14035TI13+MSOP
INA826AIDR5661TI15+SOP-8

 

 

Transistor MOSFET FS3KM-10 de PUISSANCE de MITSUBISHI Nch

 

UTILISATION ULTRA-RAPIDE DE COMMUTATION

 

VSAD ................................................................................ 500V

rDS (DESSUS) (max) ................................................................. 4.4Ω

ID ......................................................................................... 3A

VOIN ................................................................................ 2000V

 

APPLICATION

Convertisseur de SMPS, de DC-DC, chargeur de batterie, alimentation d'énergie en imprimante, copieur, HDD, FDD, TV, magnétoscope, PC etc.

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (comité technique = 25°C)

SymboleParamètreConditionsEstimationsUnité
VSADtension de Drain-sourceVGS = 0V500V
VGSStension de Porte-sourceVDS = 0V±30V
IDVidangez le courant 3A
IDMVidangez le courant (pulsé) 9A
PDDissipation de puissance maximum 30W
TchLa température de la Manche – 55 | +150°C
TstgTempérature de stockage – 55 | +150°C
VisoTension d'isolementC.A. pour 1minute, terminal au cas2000Vrms
 PoidsValeur typique2,0g

 

DESSIN D'ENSEMBLE 

TO-220FN

 

 

 

China Transistor MOSFET ultra-rapide de puissance de commutation de transistor de transistor MOSFET de puissance de FS3KM supplier

Transistor MOSFET ultra-rapide de puissance de commutation de transistor de transistor MOSFET de puissance de FS3KM

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