TRANSISTOR BIPOLAIRE de PORTE ISOLÉ par transistor de transistor MOSFET de puissance de GP4068D

Numéro de type:GP4068D
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8700pcs
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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IRGP4068DPbF

IRGP4068D-EPbF


TRANSISTOR BIPOLAIRE PORTE ISOLÉE AVEC DIODE VF ULTRA-BAS POUR CHAUFFAGE PAR INDUCTION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION SOUPLE


Caractéristiques

• Technologie IGBT de tranchée basse CE (ON)

• Faibles pertes de commutation

• Température de jonction maximale 175 ° C

• 5 μS court-circuit SOA

• Square RBSOA

• 100% des pièces testées pour courant nominal 4X (I LM )

• Positif V CE (ON) Coefficient de température

• Diode Hyperfast ultra-basse V F

• Répartition des paramètres serrés

• Paquet sans plomb


Avantages

• Dispositif optimisé pour les applications de chauffage par induction et de commutation en douceur

• Efficacité élevée grce aux faibles V CE (on) , faibles pertes de commutation et ultra-faibles V F

• Performances transitoires robustes pour une fiabilité accrue

• Excellent partage de courant en fonctionnement parallèle

• Faible EMI


Notations maximales absolues

ParamètreMaxUnités
V CESTension du collecteur l'émetteur600V
I C = C = 25 ° CCourant de collecteur continu96UNE
I C @ T C = 100 ° CCourant de collecteur continu48UNE
I CMCourant du collecteur d'impulsions192UNE
I LMCourant de charge inductif enclenché192UNE
I F @ T C = 160 ° CDiode Courant continu continu8.0UNE
I FSMDiode Courant de surtension de pointe non répétitif @ T J = 25 ° C175UNE
I FMDiode Peak Courant direct répétitif16UNE
V GETension continue de la porte l'émetteur± 20V
Tension transitoire de la porte vers l'émetteur± 30V
P D @ T C = 25 ° CDissipation de puissance maximale330W
P D @ T C = 100 ° CDissipation de puissance maximale170W

T J

T STG

Température de fonctionnement et de jonction de fonctionnement-55 +175° C
Température de soudage, pendant 10 sec.300 (1,6 mm) du boîtier)° C
Couple de montage, vis 6-3 ou M310 lbf · in (1,1 N · m)


Offre d'actions (Vente chaude)

Numéro de pièceQuantitéMarqueD / CPaquet
FR9886SOGTR47000FITIPOWER15+SOP-8
FS225R12KE3167INFINEON15+MODULE
FS8205A65000FORTUNE13+TSSOP-8
FSA2567MPX9570FAIRCHILD11+QFN16
FSDH32117522FAIRCHILD16+DIP-8
FSDM0365RNB7292FAIRCHILD16 +DIP-8
FSDM0565REWDTU1807FAIRCHILD15+TO-220F-6L
FSFM300N458FAIRCHILD10+DIP-8
FSFR1700XSL4634FAIRCHILD16+ZIP-9
FSQ0565RWDTU13538FAIRCHILD11+TO-220
FT2232D2890FTDI16+LQFP-48
FT230XQ-R4455FTDI15+QFN16
FT230XS-R4107FTDI16+TSSOP-16
FT231XS-R4426FTDI16+SSOP-20
FT232BL1469FTDI16+LQFP-32
FT232RL4137FTD16+SSOP-28
FT232RQ2226FTDI13+QFN
FTOH104ZF3680NEC13+DIP-2
FTP11N08A9728IPS14+TO-220
FTR-B3GA003Z-B1018011FUJITSU12+SMD
FW342-TL-E4035SANYO16+SOP-8
FZ600R65KF1143INFINEON15+MODULE
FZT1053ATA48000ZETEX14+SOT-223
FZT658TA20930DIODES15+SOT-223
G3VM-61ER6239OMRON16+SOP-6
G4A-1A-PE-12VDC11550OMRON15+TREMPER
G5626P11U4731GMT12+SOP-8
G5LE-1-12VDC9699OMRON12+TREMPER
G5LE-14-12VDC13715OMRON16+TREMPER
G5NB-1A-E-12VDC5649OMRON14+TREMPER

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TRANSISTOR BIPOLAIRE de PORTE ISOLÉ par transistor de transistor MOSFET de puissance de GP4068D

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