Module d'alimentation du transistor MOSFET IGBT de puissance de St de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGH40N60SMD

Numéro de type:FGH40N60SMD
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8500PCS
Délai de livraison:jour 1
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 25 heures
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FGH40N60SMDF

600V, arrêt de champ 40A IGBT

 

Caractéristiques

• La température de jonction maximum : TJ =175℃

• Coefficient positif de Temperaure pour l'opération parallèle facile

• Capacité forte intensité

• Basse tension de saturation : VCE(reposé) =1.9V (type.) @ IC = 40A

• Impédance élevée d'entrée

• Commutation rapide

• Serrez la distribution de paramètre

• RoHS conforme

 

Applications

• Inverseur solaire, UPS, SMPS, PFC

• Chauffage par induction

 

Description générale

Utilisant la technologie nouvelle de l'arrêt de champ IGBT, les nouvelles séries de Fairchild d'arrêt de champ IGBTs offrent la représentation optima pour des applications solaires d'inverseur, d'UPS, de SMPS, d'IH et de PFC où la basses conduction et pertes de commutation sont essentielles.

 

Capacités absolues

SymboleDescriptionEstimationsUnités
VCESCollecteur la tension d'émetteur600V
VGESPorte la tension d'émetteur± 20V
ICCourant de collecteur @ TC = 25℃80A
Courant de collecteur @ TC = 100℃40A
ICM(1)Courant de collecteur pulsé120A
IFCourant en avant @ T de diodeC = 25℃40A
Courant en avant @ T de diodeC = 100℃20A
IFM(1)Courant en avant maximum pulsé de diode120A
PDDissipation de puissance maximum @ TC = 25℃349W
Dissipation de puissance maximum @ TC = 100℃174W
TJLa température de jonction fonctionnante-55 +175
TstgTempérature ambiante de température de stockage-55 +175
TL

Temp maximum d'avance. pour le soudure,

1/8" du point de droit pendant 5 secondes

300

Notes : 1 : Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.

 

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
EL817B-F12000EL16+IMMERSION
EL817C-F12000EVERLIGHT16+IMMERSION
EL817S (A) (MERCI) - F68000EVERLIGHT12+SOP-4
EM639165TS-6G7930ETRONTECH15+TSOP-54
EM63A165TS-6G13467ETRONTECH14+TSOP-54
EM78P459AKJ-G9386EMC15+DIP-24
EMI2121MTTAG5294SUR15+DFN
ENC28J60-I/SO7461PUCE16+SOP-28
EP1C3T144C8N3452ALTERA13+QFP144
EP3C5F256C8N2848ALTERA15+BGA
EP3C80F780I7N283ALTERA16+BGA
EP91323575L'EXPLOREZ16+TQFP-80
EPC1213LC-203527Alt03+PLCC20
EPC1213PC88853ALTERA95+DIP-8
EPC2LI20N2794ALTERA13+PLCC
EPM7032SLC44-10N2472ALTERA13+PLCC44
EPM7064SLC44-10N2498ATLERA15+PLCC
EPM7128SQC100-10N1714ALTERA12+QFP
ERA-1SM+3210MINI15+SOT-86
ES1B-E3/61T18000VISHAY14+DO-214AC
ES2G-E3/52T12000VISHAY16+SMB
ES2J-E3/52T12000VISHAY13+DO-214AA
ES3J12000FSC15+SMC
ES56031S3498Es16+SOP-24
ESAD92-026268FUIJ16+TO-3P
ESD112-B1-02EL E632723000INFINEON15+TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G9000SUR13+SOD-523
ESD5Z7.0T1G12000SUR16+SOD-523
ESDA6V1SC551000St15+SOT23-5
ESP-12E3991AI16+SMT

 

 

 

 

China Module d'alimentation du transistor MOSFET IGBT de puissance de St de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGH40N60SMD supplier

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