Épaisseur de GaN Wafer 350um de nitrure de gallium d'affichage de projection de laser
Numéro de type:GaN-2INCH
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1PC
Conditions de paiement:L / C, T / T
Délai de livraison:2-4 semaines
Détails d'emballage:caisse simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
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Fournisseur Vérifié
Shanghai Shanghai China
Adresse:
Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
substrats libres de 2inch GaN, gaufrette de GaN pour le LD, gaufrette semi-conductrice de nitrure de gallium pour mené, calibre de GaN, substrats de 10x10mm GaN, gaufrette indigène de GaN,
- III-nitrure (GaN, AlN, auberge)
La largeur de bande interdite (luminescente et absorption) couvrent la lumière et l'infrarouge ultra-violets et visibles.
GaN peut être employé dans beaucoup de secteurs tels que l'affichage LED, la détection de grande énergie et la représentation,
Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.
Caractéristiques :
| Article | GAN-FS-n | |
| Dimensions | ± 1mm de Ф 50.8mm | |
| Marco Defect Density | Un niveau | ≤ 2 cm2 |
| Niveau de B | > 2 cm2 | |
| Épaisseur | 300 µm du ± 25 | |
| Orientation | ± 0.5° du C-axe (0001) | |
| Appartement d'orientation | ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0mm | |
| Appartement secondaire d'orientation | ± 3°, 8,0 ± 1.0mm (de 11-20) | |
| TTV (variation totale d'épaisseur) | µm ≤15 | |
| ARC | µm ≤20 | |
| Type de conduction | de type n | |
| Résistivité (300K) | < 0,5 Ω·cm | |
| Densité de dislocation | Moins que cm2 5x106 | |
| Superficie utilisable | > 90% | |
| Polonais | Front Surface : Ra < 0.2nm. Epi-prêt poli Surface arrière : La terre fine | |
| Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote. | |
2. Notre vision d'entreprise
nous fournirons le substrat de haute qualité de GaN et la technologie d'application pour l'industrie.
GaNmaterial de haute qualité est le facteur retenant pour l'application d'III-nitrures, par exemple longue durée
et LDs de forte stabilité, puissance élevée et dispositifs élevés micro-ondes de fiabilité, intense luminosité
et rendement élevé, LED économiseuse d'énergie.
- FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre nombre exprès, il est grand.
Sinon, nous pourrions vous aider pour livrer. Freight=USD25.0 (le
premier poids) + USD12.0/kg
Q : Quel est le délai de livraison ?
(1) pour les produits standard tels que la gaufrette de 2inch
0.33mm.
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est
2 ou 3 semaines de travail après ordre.
Q : Comment payer ?
100%T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram, paiement sûr et
assurance commerciale.
Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 1pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est
5pcs-10pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques.
Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de ROHS et atteindre des rapports
pour nos produits.
Épaisseur de GaN Wafer 350um de nitrure de gallium d'affichage de projection de laser
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